瑤光半導體激光退火設備順利驗收
據(jù)瑤光半導體官微消息，近日，瑤光半導體激光退火設備順利通過驗收。
該設備已在客戶新產(chǎn)線投入生產(chǎn)使用，該產(chǎn)線計劃年產(chǎn)一億顆功率芯片和1萬片6英寸SiC外延片，同時包括“10萬片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成電路”。
據(jù)官微介紹，瑤光半導體自主研發(fā)的SiC/Si基激光退火設備，廣泛應用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個工藝。其微秒級的控制系統(tǒng)、晶圓厚度測量功能以及出色的光學整形裝置，為晶圓的退火工藝提供了高效的解決方案。
此前報道，瑤光是浙江工業(yè)大學莫干山研究院今年引進的重點項目，主要從事第三代寬禁帶半導體制程設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前公司已完成瑤光閉環(huán)溫度控制系統(tǒng)，并擁有瑤光功率芯片背面激光退火方法，自主創(chuàng)新瑤光SiC外延生長方案，惰性氣體屏障技術等多項專有技術。
除了SiC激光退火設備，瑤光半導體旗下設備“星型SiC MOCVD”（ES600)預計今年四季度完成研發(fā)。
SiC晶圓激光退火技術（LSA）相對于傳統(tǒng)高溫熱退火技術（RTA），具有升溫極快、控制靈敏、熱傳導深度淺、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點，逐漸成為了新一代主流退火技術。作為該技術載體的激光退火設備，也因SiC等功率半導體的技術升級和需求增長，市場正不斷擴大。
在激光退火設備領域，市場主要由相干（Coherent）、Veeco、應用材料（Applied Materials）、日立、日本制鋼所等國外大廠占據(jù)。我國該市場起步晚，很多國內(nèi)企業(yè)的激光退火設備都依賴進口。近年來，政府與國內(nèi)企業(yè)不斷加大激光退火設備研發(fā)力度，加速激光退火設備的國產(chǎn)化進程。目前，國內(nèi)我國制造激光退火設備的企業(yè)有大族激光、北京華卓精科、成都萊普特、上海微電子等。
隨著瑤光半導體等布局企業(yè)增加，國內(nèi)激光退火設備競爭將更加激烈，同時，更多企業(yè)共同推動能有效促進行業(yè)技術升級，加快縮短國內(nèi)企業(yè)與國際大廠之間的差距，為爭取更多市場份額、實現(xiàn)國產(chǎn)替代做準備。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
優(yōu)睿譜成功推出晶圓電阻率量測設備SICV200
優(yōu)睿譜半導體設備(無錫)有限公司（下文簡稱“優(yōu)睿譜”）近日成功推出晶圓電阻率量測設備SICV200，即將交付客戶驗證。
據(jù)介紹，SICV200是一款用于測量硅片電阻率、SiC或其它半導體材料摻雜濃度的半導體量測設備，可支持對包括12英寸在內(nèi)的各種不同尺寸晶圓，進行可持多頻率下CV特性分析。機臺配置上，SICV200具有各種尺寸的半自動方案以及符合SEMI標準的全自動方案，可直接對接客戶工廠MES系統(tǒng)，實現(xiàn)自動化生產(chǎn)。
優(yōu)睿譜總經(jīng)理唐德明博士介紹，在襯底上進行同質(zhì)外延時，載流子濃度是一個重要的技術參數(shù)。目前，行業(yè)普遍使用電容電壓（CV）法來測量同質(zhì)外延層的載流子濃度。該方法可直接在半導體上形成肖特基勢壘測得外延層的載流子濃度，也可以形成MOS電容結構對CVD工藝等進行監(jiān)控，從而有效評估各類半導體材料制造工藝中外延層的載流子濃度以及外延層的質(zhì)量，方便且無損地對半導體材料進行測量分析，為優(yōu)化外延生長工藝提供依據(jù)和支持。
優(yōu)睿譜成立于2021年，專注于半導體前道量測設備的研發(fā)、設計、制造、銷售與服務。
據(jù)悉，半導體前道量測設備是半導體芯片制造過程中的核心設備之一，技術門檻高，對提高產(chǎn)品良率、降低生產(chǎn)成本、推進工藝迭代起著重要作用。目前，雖然中國大陸已經(jīng)成為全球最大的前道量檢測市場，但國內(nèi)廠商市場份額占比仍然較小。
隨著國內(nèi)半導體行業(yè)的快速發(fā)展，對前道量測設備的需求量持續(xù)走高，與此同時，由于地緣政治和國外企業(yè)產(chǎn)能等因素影響，使得國產(chǎn)替代需求迫切。
面對技術落后的處境，國內(nèi)企業(yè)在加速追趕——上海精測、中科飛測等在前道量測設備領域取得了一定的進展。值得一提的是，前不久，中導光電的納米級圖形晶圓缺陷光學檢測設備（NanoPro-150）實現(xiàn)了再次交付。
隨著技術更迭和行業(yè)認可度的提升，在本土巨大的前道量檢測市場，國內(nèi)廠商大有可為。（集邦化合物半導體Morty整理）
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