11月26日，據(jù)法國(guó)產(chǎn)業(yè)雜志新工廠（UsineNouvelle）報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）繼與美商格羅方德在法國(guó)東南部Crolles的75億歐元（約588億人民幣）晶圓廠計(jì)劃后，為平衡集團(tuán)在意法兩國(guó)布署，亦將于意大利西西里島Catane投資50億歐元（約392億人民幣），新建一座碳化硅（SiC）超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)SiC芯片，為電動(dòng)車關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長(zhǎng)潛力。
報(bào)道稱，意法半導(dǎo)體為維持其競(jìng)爭(zhēng)力，擬自2024年起轉(zhuǎn)型升級(jí)至8英寸晶圓，并結(jié)合Soitec的SmartSiC技術(shù)，以提高效能，同時(shí)減少碳排放。同時(shí)，該公司積極提升產(chǎn)能、掌握內(nèi)部制造并與中國(guó)廠商三安光電合作，以期將SiC芯片相關(guān)營(yíng)收由今年預(yù)期的12億美元（約85億人民幣）在2030年前提升至50億美元（約356億人民幣）。
其中，意法半導(dǎo)體與三安光電強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手曾在行業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。今年6月7日，意法半導(dǎo)體和三安光電共同宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個(gè)新的8英寸SiC器件合資制造廠，投資總額預(yù)計(jì)達(dá)32億美元（約228億人民幣）。
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為了保障這項(xiàng)規(guī)模龐大的投資計(jì)劃順利實(shí)施，三安光電表示將利用自研SiC襯底工藝，單獨(dú)建造和運(yùn)營(yíng)一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求，這有助于合作方意法半導(dǎo)體加速向8英寸進(jìn)軍。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，目前SiC產(chǎn)業(yè)以6英寸襯底為主，占據(jù)高達(dá)80%的市場(chǎng)份額，而8英寸襯底僅占1%，向更大的8英寸襯底過(guò)渡是進(jìn)一步降低SiC器件成本的關(guān)鍵策略。
8英寸SiC襯底比6英寸同類襯底具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，6英寸向8英寸升級(jí)是行業(yè)發(fā)展大趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)爍科晶體、晶盛機(jī)電、南砂晶圓、同光股份、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體等龍頭企業(yè)都在推進(jìn)8英寸SiC襯底的開(kāi)發(fā)，從占總生產(chǎn)成本45%左右的襯底上實(shí)現(xiàn)降本后，SiC器件有望進(jìn)一步推廣普及，反哺各大廠商，形成良性循環(huán)。
不僅僅是國(guó)內(nèi)廠商，國(guó)際半導(dǎo)體巨頭英飛凌（Infineon Technologies)、安森美（Onsemi）等也都在積極搶食市場(chǎng)大蛋糕。其中，英飛凌已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并計(jì)劃在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用，安森美、羅姆等國(guó)際器件大廠都制定了8英寸SiC晶圓的發(fā)展規(guī)劃。
目前，頭部廠商占據(jù)了超過(guò)90%的市場(chǎng)份額，競(jìng)爭(zhēng)激烈，一旦步伐放緩，就可能讓追趕者有可乘之機(jī)。根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2022年SiC功率半導(dǎo)體主要廠商的市場(chǎng)份額占比TOP5分別是意法半導(dǎo)體（36.5%）、英飛凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、羅姆（8.1%），剩余廠商僅占9.6%。
意法半導(dǎo)體此次在意大利投資建廠，不僅能夠平衡集團(tuán)在意法兩國(guó)布署，也有助于穩(wěn)固自身在SiC功率器件領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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