德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵?(GaN)?系列新品
當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月30日，德州儀器?(TI)?發(fā)布低功耗氮化鎵?(GaN)?系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。
德州儀器的GaN場效應(yīng)晶體管?(FET)?全系列產(chǎn)品均集成了柵極驅(qū)動(dòng)器，能解決常見的散熱設(shè)計(jì)問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
德州儀器高電壓電源部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示：“如今，消費(fèi)者需要更小、更輕、更便攜，同時(shí)還能快速充電的高能效電源適配器。借助我們發(fā)布的新品，設(shè)計(jì)人員可將低功耗 GaN 技術(shù)的功率密度優(yōu)勢應(yīng)用到更多消費(fèi)者日常使用的產(chǎn)品中，如手機(jī)和筆記本電腦適配器、電視電源裝置和 USB 墻壁插座。此外，德州儀器的產(chǎn)品組合還能滿足電動(dòng)工具和服務(wù)器輔助電源等工業(yè)系統(tǒng)對(duì)高效率緊湊型設(shè)計(jì)日益增長的需求?！?/p>
帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的全新GaN FET產(chǎn)品組合包括 LMG3622、LMG3624 和 LMG3626，提供業(yè)界超精確的集成電流檢測功能。與使用分立式GaN和硅FET的傳統(tǒng)電流檢測電路相比，由于集成電流檢測功能，無需再連接外部分流電阻器，同時(shí)可將相關(guān)功率損耗降低高達(dá)94%，幫助設(shè)計(jì)人員大幅提高效率。
據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達(dá)65%。
GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng)，核心仍在于快速充電器，其他消費(fèi)電子場景還包括D類音頻、無線充電等。
利普思半導(dǎo)體推出1400V?SiC模塊產(chǎn)品系列
近日，利普思半導(dǎo)體推出了1400V SiC模塊系列產(chǎn)品，包含E0系列及ED3S系列產(chǎn)品，覆蓋50A—600A應(yīng)用需求，涵蓋半橋、H橋及Boost拓?fù)洹?/p>
該系列模塊目前已經(jīng)通過首批多個(gè)客戶的驗(yàn)證，以及H3TRB等可靠性測試驗(yàn)證，即將在超級(jí)充電、制氫電源、電池檢測、車載應(yīng)用等領(lǐng)域進(jìn)行使用。需要注意的是，該系列模塊除具備1400V的耐壓，在開關(guān)損耗及耐過流能力方面，也有非常不錯(cuò)的表現(xiàn)，特別適用于DCDC等高頻應(yīng)用場景。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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