12月12日，大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司（下文簡稱“創(chuàng)銳光譜”）官微發(fā)文稱，公司近日在碳化硅（SiC）襯底晶圓位錯缺陷的無損光學檢測技術方面取得突破性進展，并將同步推出SiC襯底晶圓位錯無損檢測專用設備:SIC-SUB-9900。
據(jù)介紹，該設備基于瞬態(tài)激發(fā)和散射光譜原理，采用大面積光學成像，實現(xiàn)了SiC襯底晶圓位錯缺陷的高速、精準、非接觸式的無損光學檢測。結合AI識別，可對襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實現(xiàn)精準的識別和分類（以目前行業(yè)中廣泛應用的堿液腐蝕法的結果為參照，識別準確率達到90%以上）。
與現(xiàn)有的XRT(X光形貌分析)技術相比，該檢測技術具有操作簡單、檢測速度快、性價比高等顯著優(yōu)勢。與非線性光學檢測中的點掃描模式相比，該設備中采用的大面積成像的方式，極大地提高了檢測速度：以6吋晶圓樣品為例，最快檢測時間小于17分鐘！
SiC襯底晶圓的BPD、TSD、TED等位錯缺陷的數(shù)量和分布是反映襯底質量的重要參數(shù)。襯底中的位錯缺陷可進一步延伸到外延層中，對外延層的質量及最終的芯片良率產生巨大的影響。因此對襯底中的位錯缺陷進行精準的檢測、識別和統(tǒng)計是襯底晶圓生產中極為重要的環(huán)節(jié)。
據(jù)悉，創(chuàng)銳光譜創(chuàng)立于2016年，基于自主技術，深耕科學儀器和半導體材料檢測兩大應用領域，已實現(xiàn)從基礎研究到工業(yè)生產的全產業(yè)鏈賦能。
圖片來源：拍信網正版圖庫
今年3月，創(chuàng)銳光譜SiC晶圓質量大面積成像系統(tǒng)SiC-MAPPING532達到持續(xù)穩(wěn)定運行標準，正式下線發(fā)運行業(yè)知名客戶。該設備為國際首臺套基于瞬態(tài)光譜技術的第三代半導體缺陷檢測設備，不僅實現(xiàn)了相關技術的全自主國產化替代，在各種技術指標上也全面超越進口同類產品。
5月，創(chuàng)銳光譜宣布完成數(shù)千萬元天使輪融資，由君聯(lián)資本獨家投資。本輪融資將用于精密科學儀器和半導體檢測光譜新技術的開發(fā)和多款檢測設備規(guī)?；慨a。
除了創(chuàng)銳光譜，近期國產半導體檢測設備有關融資、推新和產品交付的新聞也是接連不斷：
11月，中導光電的納米級圖形晶圓缺陷光學檢測設備（NanoPro-150）實現(xiàn)了再次交付。
不久前，半導體光學量檢設備廠商蓋澤科技宣布完成了新一輪千萬級別融資。
此外，半導體前道量測設備廠商優(yōu)睿譜，近日成功推出SiC晶圓電阻率量測設備SICV200，并且同時發(fā)布兩家客戶。
以上這些國內半導體檢測設備廠商的消息頻增，從側面體現(xiàn)出國內半導體市場對國產半導體檢測設備的重視程度和認可度在逐步提高。由于半導體檢測設備的作用幾乎貫穿終端產品的整個生產流程，且設備成本占比不低，但長期以來外國進口，這對于快速增長的國內半導體市場有著諸多不便。無論是出于國際局勢的考量還是國際大廠的產能限制，半導體檢測設備本土化是一個必然的趨勢。
來源：創(chuàng)銳光譜、集邦化合物半導體整理
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