近日，芯塔電子與中科海奧簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將加深在光伏發(fā)電、儲能及微電網(wǎng)系統(tǒng)、節(jié)能服務(wù)等領(lǐng)域的功率器件供應(yīng)、應(yīng)用開發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新等多方面合作。
source:芯塔電子
據(jù)介紹，芯塔電子已經(jīng)批量生產(chǎn)的第二代SiC MOSFET在器件優(yōu)值因子和柵極抗串擾性能方面實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先，即將發(fā)布的第三代SiC MOSFET在元胞層面實現(xiàn)了重大技術(shù)創(chuàng)新及整體性能提升。截至目前，芯塔電子SiC產(chǎn)品已經(jīng)在包括中科海奧在內(nèi)的數(shù)十家光儲頭部客戶批量導(dǎo)入。
中科海奧致力于電動汽車能源產(chǎn)品和節(jié)能環(huán)保電源產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化，與中科海奧合作，有助于芯塔電子SiC器件產(chǎn)品加速進入新能源汽車以及光儲充等領(lǐng)域。
資料顯示，芯塔電子成立于2020年10月，是一家專注于提供第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司，主要產(chǎn)品包括SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊、驅(qū)動等。
SiC器件方面，2023年9月，芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)的1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品。該產(chǎn)品針對高端汽車級應(yīng)用開發(fā)，擊穿電壓達到2300V。據(jù)悉，芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐壓簡化了應(yīng)用電路，提升了應(yīng)用方案可靠性，降低了系統(tǒng)成本。
值得一提的是，同在2023年9月，芯塔電子參與編寫的SiC半導(dǎo)體外延晶片全球首個SEMI國際標準——《4H-SiC同質(zhì)外延片標準》正式發(fā)布。
2023年12月，芯塔電子自主研發(fā)的120OV/80mΩ TO-2563-7封裝SiC MOSFET器件獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V/20A T0-252-3封裝SiC SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過此項認證。AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證通過，有助于芯塔電子拓展新能源車用市場。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進入批量導(dǎo)入階段。
成立至今，芯塔電子共完成兩輪融資，分別為2022年6月的數(shù)千萬人民幣天使輪和2023年6月的近億元人民幣Pre-A輪融資，投資方包括財通資本、禾創(chuàng)致遠、叢蓉投資、納川資本、方德信基金、蕪湖高新投等機構(gòu)，其中，禾創(chuàng)致遠已參與芯塔電子全部融資輪次。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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