1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達成最終收購協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元（約24.27億人民幣）。
source：瑞薩電子
瑞薩電子表示，此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應用的解決方案。
資料顯示，Transphorm是美國一家GaN功率器件生產(chǎn)商，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的GaN半導體功率器件。在車用領域，Transphorm的GaN產(chǎn)品在業(yè)內最早通過車規(guī)級認證，擁有豐富的產(chǎn)品系列。
Transphorm此前在2023年第3季財報會議上便表示有整并或出售計劃，公司在2022年全球GaN功率器件廠商營收排名第6。瑞薩電子則在這兩年開始大規(guī)模投資寬禁帶半導體，SiC方面已經(jīng)和Wolfspeed簽訂了長期的材料供應協(xié)議，并計劃在2025年開始量產(chǎn)SiC功率半導體，GaN方面此前曾與GaN Systems聯(lián)手開發(fā)電動車DC-DC轉換器。
近年來，GaN技術在混合型和全電動汽車、消費電子產(chǎn)品、智能手機以及其他產(chǎn)品的制造中得到廣泛應用，發(fā)展?jié)摿^大。為迎合不斷增長的市場需求，Transphorm近期頻頻推出各種GaN產(chǎn)品。
2023年11月，Transphorm宣布推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備市場上主流的代工e-mode氮化鎵缺乏的高壓動態(tài)（開關）導通電阻可靠性。
同在11月，Transphorm和Allegro MicroSystems宣布合作，聯(lián)合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔離柵極驅動器，借此擴展GaN電源系統(tǒng)設計在高功率應用范圍。
11月底，Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。該新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個采用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。
目前，瑞薩電子已成為世界十大半導體芯片供應商之一，被瑞薩電子收購后，借助瑞薩全球化布局、廣泛的解決方案以及客戶資源，Transphorm有望推出更多契合市場和用戶需求的GaN產(chǎn)品，進而更好地拓展業(yè)務。
同時，Transphorm的GaN晶圓來源于同在日本會津的AFSW工廠，該晶圓廠是Transphorm與富士通半導體在2013年合資建設的子公司，是全球首屈一指的高質量、可靠的高壓 GaN 功率半導體晶圓制造工廠。2021年，Transphorm聯(lián)合JCP Capital完成了對AFSW晶圓廠的100%股權收購。因此，這也是助力此次收購案的另一大重要原因。
值得一提的是，2023年3月，英飛凌宣布擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN Systems。GaN Systems是全球GaN主力軍之一，尤其是在車用GaN領域，該公司屬于先行者。該事件交易金額約為瑞薩電子收購Transphorm的2.4倍，也曾在業(yè)內引發(fā)廣泛關注。（集邦化合物半導體Zac、Matt整理）
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