南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目正式備案

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 01 月 31 日 17:34 | 分類 企業(yè)

盡管目前市場上碳化硅(SiC)襯底供應(yīng)仍然以6英寸為主,8英寸尚未大規(guī)模普及,但國內(nèi)SiC襯底頭部廠商普遍都在積極進軍8英寸。近日,又有一家知名廠商旗下8英寸SiC襯底項目迎來新進展。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

1月30日,山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱中晶芯源)8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。據(jù)悉,該項目于2023年6月12日落地山東濟南,計劃在2025年滿產(chǎn)達產(chǎn),成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。

股東信息顯示,中晶芯源由廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(以下簡稱南砂晶圓)全資控股,后者成立于2018年8月,從事SiC單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主。

近年來,在8英寸SiC襯底熱度持續(xù)上漲趨勢下,南砂晶圓積極投身8英寸賽道。2022年9月8日,南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)成功實現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備,采用物理氣相傳輸法(PVT)擴徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底。

據(jù)介紹,經(jīng)測試表征,上述襯底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,電阻率平均值22mΩ·cm,不均勻性小于4%,襯底(004)面高分辨XRD 5點搖擺曲線半峰寬平均值32.7弧秒,說明襯底具有良好的結(jié)晶質(zhì)量,邊緣擴徑區(qū)域沒有小角度晶界缺陷。

技術(shù)突破也在一定程度上助推南砂晶圓成為資本市場重點關(guān)注對象,過去兩年多時間,南砂晶圓已相繼完成5輪融資,包括今年1月剛剛完成的C輪融資,投資方包括華民基金、天堂硅谷、華訊方舟基金、揚子江基金、魯信創(chuàng)投等機構(gòu)。

項目方面,南砂晶圓還在廣州南沙區(qū)布局了SiC項目,總投資9億元,該項目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn),達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。

項目備案意味著南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目正式啟動,隨著項目建成達產(chǎn),將有利于南砂晶圓未來在SiC襯底全面轉(zhuǎn)型8英寸后搶占先機。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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