2月29日，青島四方思銳智能技術(shù)有限公司（以下簡稱：思銳智能）宣布完成數(shù)億元B輪融資。
本輪融資由上汽集團戰(zhàn)略直投、尚頎資本和鼎暉投資聯(lián)合領(lǐng)投；招商局創(chuàng)投、上海金浦、新鼎資本、創(chuàng)新工場、華控基金、青創(chuàng)投等知名投資者跟投；海松資本、海澳芯科、鑫芯創(chuàng)投、珩創(chuàng)投資、同歌創(chuàng)投等老股東持續(xù)加持。
圖源：拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)悉，思銳智能聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案，目前已形成“雙主業(yè)”布局，產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備，可廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。
其中，離子注入是半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)的關(guān)鍵工藝之一，可大幅度提高集成電路的成品率。我國已經(jīng)初步實現(xiàn)了低能大束流和中束流離子注入機的研制，但是技術(shù)難度最高的高能離子注入機始終被海外企業(yè)壟斷。
思銳智能于2021年開啟離子注入設(shè)備的研發(fā)攻關(guān)，最終于2023年成功研制出國內(nèi)首臺能量達到8MeV（兆電子伏特）的高能離子注入機，該設(shè)備可應(yīng)用于功率器件、IGBT、CMOS圖像傳感器、5G射頻、邏輯芯片等集成電路主要器件的制備，現(xiàn)已成功交付國內(nèi)頭部企業(yè)。
原子層沉積方面，思銳智能于2018年完成對ALD技術(shù)發(fā)源地——芬蘭倍耐克公司100%股權(quán)的收購工作。2023年7月，思銳智能宣布與英諾賽科簽訂ALD設(shè)備采購協(xié)議，思銳智能需為英諾賽科供應(yīng)用于氮化鎵半導(dǎo)體晶圓制造前道工藝的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備，支持其8英寸硅基氮化鎵晶圓產(chǎn)線的擴充。
據(jù)悉，Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備可支持配置多個ALD工藝模塊，兼容熱法及等離子體功能，可為應(yīng)對不斷增長的產(chǎn)能和新的應(yīng)用而進行升級，目前已進入歐洲、北美、日本和中國大陸及臺灣地區(qū)知名廠商，并實現(xiàn)重復(fù)訂單。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）
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