蔚來自研碳化硅模塊C樣下線,已接近量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 07 日 18:20 | 分類 企業(yè)

SiC加速“上車”進(jìn)程近日再次傳出利好消息。3月29日,“蔚來&芯聯(lián)集成合作伙伴大會暨蔚來自研SiC模塊C樣下線儀式”在芯聯(lián)集成紹興總部舉行。蔚來高級副總裁曾澍湘、芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇共同出席并啟動了SiC模塊C樣下線揭幕儀式。

source:芯聯(lián)集成

據(jù)悉,今年1月30日,芯聯(lián)集成官宣與蔚來簽署了SiC模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。按照雙方簽署的協(xié)議,芯聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V SiC模塊的生產(chǎn)供應(yīng)商,該SiC模塊將用于蔚來900V高壓純電平臺。蔚來自研SiC模塊C樣件的下線代表著雙方合作取得階段成果,也標(biāo)志著蔚來自研SiC模塊成熟度進(jìn)一步提升,更近一步接近量產(chǎn)。

作為蔚來SiC模塊產(chǎn)品供貨方,芯聯(lián)集成在SiC技術(shù)和產(chǎn)能方面都有一定的實(shí)力。2023年12月,芯聯(lián)集成公布了“碳化硅(SiC)MOS芯片制造一期項(xiàng)目”環(huán)評表。資料顯示,該項(xiàng)目總投資9.61億元,主要從事6/8英寸SiC MOSFET芯片制造。

具體來看,該項(xiàng)目將建設(shè)一條月產(chǎn)5000片的6/8英寸兼容SiC MOSFET芯片制造生產(chǎn)線,先完成6英寸SiC MOSFET規(guī)?;圃旒凹夹g(shù)的持續(xù)研發(fā)和產(chǎn)品積累,待國內(nèi)8英寸SiC襯底片和外延片具備批量供應(yīng)能力后,快速切換到8英寸,建成后將形成6/8英寸SiC晶圓6萬片/年的生產(chǎn)規(guī)模。

今年1月30日,芯聯(lián)集成在2023年業(yè)績預(yù)告中表示,公司最新一代SiC MOSFET產(chǎn)品性能已達(dá)世界先進(jìn)水平,正在建設(shè)的國內(nèi)第一條8英寸SiC器件研發(fā)產(chǎn)線將于2024年通線,同時(shí)將與多家新能源汽車主機(jī)廠簽訂合作協(xié)議,2024年SiC業(yè)務(wù)營收預(yù)計(jì)將超過10億元。

在與芯聯(lián)集成簽署供貨協(xié)議的同時(shí),蔚來正在旗下新能源車型中持續(xù)引入SiC功率模塊。2023年12月23日,蔚來汽車在NIO Day上發(fā)布行政旗艦車型ET9,成為蔚來旗下又一款搭載SiC功率模塊的車型。

據(jù)介紹,ET9采用蔚來自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊,以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包,單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg,充電效率達(dá)到5C。官方數(shù)據(jù)是充電5分鐘,續(xù)航255公里。

在造車新勢力三巨頭中,除蔚來外,理想和小鵬均正在大力引入SiC功率模塊。其中,理想于2022年發(fā)布LEEA2.0平臺。目前,基于該平臺理想推出了L9,該車電驅(qū)系統(tǒng)采用了理想與三安光電合資組建的蘇州斯科半導(dǎo)體的SiC功率模塊。隨著斯科半導(dǎo)體SiC功率模塊生產(chǎn)基地于2024年投產(chǎn),理想基于LEEA2.0平臺打造的SiC車型矩陣有望進(jìn)一步擴(kuò)充。

小鵬則于2022年發(fā)布了首款SiC車型G9。2023年4月,小鵬汽車又發(fā)布全新一代技術(shù)平臺——SEPA 2.0扶搖全域智能進(jìn)化架構(gòu),為800V高壓SiC平臺?;谠撈脚_打造的SiC車型將標(biāo)配3C電芯,也可兼容4C電芯。其中,4C版本車樁結(jié)合可實(shí)現(xiàn)充電5分鐘補(bǔ)能200km,G6是該平臺下的代表車型。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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