近日，SiC功率半導(dǎo)體制造基地——武漢長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目成功完成首榀桁架吊裝，標(biāo)志著項(xiàng)目鋼結(jié)構(gòu)施工全面展開(kāi)。該項(xiàng)目鋼結(jié)構(gòu)建設(shè)內(nèi)容包括鋼結(jié)構(gòu)大跨度桁架屋面2座、大跨度連廊5座、超長(zhǎng)管廊1座，單榀桁架最重25噸，最大跨度33.7米。
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據(jù)悉，該項(xiàng)目位于湖北省武漢市，總建筑面積約25.15萬(wàn)平米，建成后預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸SiC MOSFET晶圓36萬(wàn)片、功率器件模塊6100萬(wàn)個(gè)，將覆蓋新能源汽車、光儲(chǔ)充、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
作為該項(xiàng)目主導(dǎo)方，長(zhǎng)飛先進(jìn)去年5月明確提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，全面布局SiC產(chǎn)業(yè)。項(xiàng)目方面，長(zhǎng)飛先進(jìn)去年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會(huì)正式簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。一個(gè)月后，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地開(kāi)工。該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)200億元，一期投資100億元，可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年建設(shè)完成。
產(chǎn)品方面，長(zhǎng)飛先進(jìn)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計(jì)及工藝平臺(tái)，15mΩ產(chǎn)品比導(dǎo)通電阻（Ron，sp）已達(dá)3.4mΩ·cm2，躋身國(guó)際先進(jìn)水平。此外，長(zhǎng)飛先進(jìn)基于該平臺(tái)的主驅(qū)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達(dá)80%。
合作方面，據(jù)透露，長(zhǎng)飛先進(jìn)正在籌建SiC功率器件應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，計(jì)劃與安徽省內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)深化合作，協(xié)同發(fā)展，合力打造SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。
作為SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造廠商，長(zhǎng)飛先進(jìn)具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力，可年產(chǎn)6萬(wàn)片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬(wàn)只功率模塊、1800萬(wàn)只功率單管，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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