5月8日，據(jù)北一半導(dǎo)體官微披露，其成功完成了B+輪融資，由上海吾同私募基金管理有限公司領(lǐng)投的1億元資金已經(jīng)到位，另有5000萬(wàn)元投資金額在結(jié)尾工作中，預(yù)計(jì)本輪融資總額將達(dá)到1.5億元。
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北一半導(dǎo)體表示，本輪融資資金將主要用于SiC MOSFET技術(shù)的進(jìn)一步研發(fā)，以及產(chǎn)線的升級(jí)與擴(kuò)建。一方面，通過(guò)加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng)新的步伐，提升SiC MOSFET的性能指標(biāo)和生產(chǎn)效率；另一方面，通過(guò)產(chǎn)線的升級(jí)與擴(kuò)建，提高生產(chǎn)規(guī)模，滿足市場(chǎng)需求，推動(dòng)SiC MOSFET的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
此前，北一半導(dǎo)體曾在2023年6月完成超1.5億元B輪融資，本輪融資由基石資本領(lǐng)投，金鼎資本、中金資本參投，本輪融資資金主要用于加速公司產(chǎn)線擴(kuò)建、產(chǎn)品研發(fā)、團(tuán)隊(duì)擴(kuò)建以及市場(chǎng)拓展等。
官微資料顯示，北一半導(dǎo)體成立于2017年，總部位于深圳市，生產(chǎn)基地位于黑龍江省穆棱市，是一家專注于Si基、SiC基功率半導(dǎo)體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產(chǎn)、銷售的廠商。北一半導(dǎo)體目前在研產(chǎn)品包括精細(xì)溝槽柵IGBT芯片、溝槽柵SiC MOSFET芯片、雙面散熱模塊等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、感應(yīng)加熱、新能源汽車、風(fēng)電及光伏領(lǐng)域。
SiC業(yè)務(wù)方面，2018年，北一半導(dǎo)體成立SiC芯片開(kāi)發(fā)項(xiàng)目組，進(jìn)行SiC二極管及MOSFET芯片調(diào)研規(guī)劃；2019年，其1200V 20A SiC JBS二極管產(chǎn)出，可靠性通過(guò)工業(yè)級(jí)考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領(lǐng)域獲得批量訂單；2022年，北一半導(dǎo)體完成1200V等級(jí)SiC MPS芯片開(kāi)發(fā)，浪涌電流達(dá)到12倍額定電流，新能源汽車用750V、1200V等級(jí)IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；2023年，北一半導(dǎo)體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設(shè)計(jì)。
項(xiàng)目方面，2023年1月，北一半導(dǎo)體新建二期廠房正式全面投入使用。二期占地面積超過(guò)12500平米，產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大，能夠滿足HPD模塊、IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、SiC模塊大量生產(chǎn)條件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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