近日，鼎鎵半導體與華中師范大學與建立了緊密的校企合作關(guān)系，雙方將共同致力于推動半導體領域的發(fā)展和創(chuàng)新。
鼎鎵半導體指出，此次合作將充分發(fā)揮華中師范大學在教育、科研等方面的優(yōu)勢，以及鼎鎵半導體在行業(yè)內(nèi)的技術(shù)實力和實踐經(jīng)驗。通過合作，華中師范大學與鼎鎵半導體將實現(xiàn)優(yōu)勢互補，共同為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻。
據(jù)了解，除了華中師范大學，鼎鎵半導體的合作伙伴還包括北京理工大學、嘉興大學以及浙江蔚元電子科技有限公司西安研發(fā)中心。
公開資料顯示，嘉興鼎鎵半導體是一家以第三代半導體外延片制備、芯片設計及相關(guān)應用產(chǎn)品開發(fā)為主的優(yōu)勢民企，主要產(chǎn)品是以第三代半導體材料為主的GaN紫外光電半導體芯片（深紫外LED芯片）、深紫外探測器、GaN功率芯片、GaN激光器光源等，并向國內(nèi)外市場提供上述高新技術(shù)產(chǎn)品。
source：鼎鎵半導體
2022年1月，鼎鎵半導體實現(xiàn)了國內(nèi)首張GaN 6英寸高功率深紫外LED外延的結(jié)構(gòu)設計和生長流片，完成了工藝和配方的量產(chǎn)調(diào)試，將傳統(tǒng)50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產(chǎn)成本降低到原有價格的三分之一，同時將高功率固態(tài)半導體深紫外DUV激光器光源的研制生產(chǎn)變?yōu)榱丝赡堋?/p>
據(jù)介紹，鼎鎵半導體在普通藍寶石襯底的基礎上，引入了全新的半導體材料與AlGaN材料結(jié)合的方式，通過超晶格結(jié)構(gòu)使用兩類半導體化合物材料優(yōu)勢互補，克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現(xiàn)的晶格失配的缺陷，突破了傳統(tǒng)AlGaN外延PIN結(jié)構(gòu)的限制，實現(xiàn)了6英寸外延生產(chǎn)工藝的創(chuàng)造性突破。
經(jīng)第三方權(quán)威機構(gòu)檢測，外延一致性達到了97%，峰值波長在265nm，輸出光功率不低于1500a.u.，核心buffer層厚度突破了4μm。
目前，鼎鎵半導體已獲得多項發(fā)明與實用新型專利，產(chǎn)品主要應用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味，涉及工業(yè)環(huán)保、生命醫(yī)療、民生健康等領域。（集邦化合物半導體整理）
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