英諾賽科發(fā)布700V GaN合封系列新品

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 05 月 16 日 18:00 | 分類 企業(yè)

5月16日,據(jù)英諾賽科官微消息,其宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA。據(jù)英諾賽科介紹,該系列新品針對消費電子領(lǐng)域定制開發(fā),具備超高集成度,支持45W/60W/100W/140W等手機、平板、筆記本快充應(yīng)用。

source:英諾賽科

據(jù)介紹,該系列產(chǎn)品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件,具備自適應(yīng)驅(qū)動電路、無損電流采樣以及眾多保護功能,還具備零反向恢復(fù)電荷、2MHz高開關(guān)頻率、高達80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。

通過與市面上同規(guī)格的合封產(chǎn)品對比,ISG610xQA系列新品輸入供電電壓較高,靜態(tài)電流較低。ISG610xQA系列新品支持AC-DC/DC-DC/DC-AC電源應(yīng)用,可以適配PFC、QR反激、ACF、半橋、全橋拓撲,有利于PD快充、電源適配器等終端應(yīng)用實現(xiàn)高效節(jié)能。

近期,英諾賽科還推出與FCQFN兼容引腳設(shè)計的Topside cooling封裝En-FCQFN GaN功率器件,包含4款Single GaN,均采用En-FCQFN 封裝,延續(xù)了低導(dǎo)阻、低柵極電荷、低開關(guān)損耗和極低的反向恢復(fù)電荷等特性,具有良好的效率表現(xiàn)。據(jù)介紹,相比FCQFN封裝,En-FCQFN 封裝在散熱性能上得到進一步優(yōu)化,能夠幫助終端應(yīng)用解決系統(tǒng)溫升限制的困擾。

英諾賽科100V-150V GaN系列此前已有WLCSP、FCQFN、LGA等多種封裝類型產(chǎn)品,涵蓋不同的導(dǎo)通電阻和應(yīng)用領(lǐng)域。英諾賽科表示,近期新增的4款與FCQFN兼容引腳設(shè)計的Topside cooling En-FCQFN封裝芯片,以其不同的導(dǎo)通電阻及不同的封裝類型,拓展了更廣的功率場景,同時優(yōu)化散熱,能夠解決客戶系統(tǒng)過熱問題。(來源:英諾賽科,集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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