今年4月，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱優(yōu)晶科技）最新出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法長晶設(shè)備已順利通過驗收，標(biāo)志著優(yōu)晶科技國際業(yè)務(wù)取得突破。據(jù)悉，此次出口的SiC電阻法長晶設(shè)備，是優(yōu)晶科技根據(jù)市場需求研發(fā)的第四代產(chǎn)品，設(shè)備的穩(wěn)定性、可靠性、工藝水準(zhǔn)均有提升。
而在近日，優(yōu)晶科技SiC長晶設(shè)備再次傳出新進展。6月7日，據(jù)優(yōu)晶科技官微披露，其8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評審。
source：優(yōu)晶科技
鑒定委員會認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟效益顯著。
官網(wǎng)資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKING ERH SiC RV4.0電阻法SiC長晶設(shè)備，可用于6英寸、8英寸量產(chǎn)。
項目方面，優(yōu)晶科技于2020年12月在昆山建設(shè)落成國內(nèi)首條UKING電阻法6英寸SiC生產(chǎn)線，并計劃2021年年底前將6英寸電阻法SiC生產(chǎn)線擴容至100臺。屆時優(yōu)晶科技投資打造的國內(nèi)首條UKING電阻法6英寸SiC生產(chǎn)線將在江蘇昆山平謙邁高科技園實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。達產(chǎn)預(yù)計年產(chǎn)6英寸SiC襯底10萬片。
據(jù)介紹，UKING電阻法大尺寸SiC長晶設(shè)備軸向溫梯可控、徑向溫梯可調(diào)、溫線平緩，晶體生長界面近似平面，這能有效降低SiC單晶內(nèi)部應(yīng)力，增加晶體有效利用厚度。同時，UKING電阻法碳化硅生產(chǎn)設(shè)備智能化程度高，可大幅提高工藝精度；并具有無需人工粘接籽晶的引晶工藝，生長參數(shù)實時監(jiān)測和存儲，遠程訪問和控制，實現(xiàn)了長晶過程的高度自動化，保證工藝的重現(xiàn)性，減少對操作人員的依賴，解決了工藝控制難的瓶頸，使生長出的晶體良品率和質(zhì)量大幅提高。
融資方面，2023年6月，優(yōu)晶科技完成A輪融資，投資方為東合創(chuàng)投。
此次優(yōu)晶科技成功研發(fā)出UK-T8型8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備，有望推動優(yōu)晶科技加速拓展國際、國內(nèi)業(yè)務(wù)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。