6月11日，廣東匯成真空科技股份有限公司（以下簡稱匯成真空）在投資者互動平臺表示，其與武漢理工大學(xué)簽訂了《碳化硅晶圓外延單片機(jī)熱、流場設(shè)計的技術(shù)開發(fā)合同書》，合作內(nèi)容為雙方共同參與SiC晶圓外延單片機(jī)系統(tǒng)中真空系統(tǒng)、溫場、氣路系統(tǒng)的設(shè)計。
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官網(wǎng)資料顯示，匯成真空成立于2006年，是一家面向全球的真空應(yīng)用解決方案提供商，研發(fā)、生產(chǎn)和銷售光學(xué)鍍膜設(shè)備、功能性薄膜涂層設(shè)備、裝飾涂層設(shè)備、卷繞鍍膜設(shè)備、汽車零部件鍍膜設(shè)備、連續(xù)式磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線、超高真空系統(tǒng)等真空設(shè)備、ALD原子層沉積設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備、電子生產(chǎn)設(shè)備、光電設(shè)備、光伏設(shè)備、動力電池設(shè)備及產(chǎn)品相關(guān)配件，專注設(shè)備與產(chǎn)品的相關(guān)制造工藝和應(yīng)用技術(shù)、控制軟件、工藝流程控制軟件及相關(guān)生產(chǎn)自動化軟件的研發(fā)、應(yīng)用。
?技術(shù)方面，匯成真空重點發(fā)展連續(xù)式磁控鍍膜生產(chǎn)線、柔性薄膜卷繞鍍膜技術(shù)、光學(xué)鍍膜技術(shù)及離子鍍膜技術(shù)，包括非平衡磁控、中頻磁控濺射、電弧蒸發(fā)源、離子源輔助鍍膜、電子束蒸發(fā)、PECVD等多種核心技術(shù)組合，針對每個行業(yè)的特殊需求，將尖端設(shè)備技術(shù)和綜合工序以及應(yīng)用專業(yè)技術(shù)相結(jié)合，從研發(fā)、原型制作到批量生產(chǎn)，提供定制化的真空應(yīng)用工藝技術(shù)及設(shè)備解決方案。
SiC業(yè)務(wù)方面，近日，匯成真空公開一項“一種高均勻性碳化硅高溫氧化爐”專利，申請公布號為CN117824353A，申請日期為2024年1月2日。
該專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高均勻性碳化硅高溫氧化爐，其包括工藝腔體、晶圓架、爐門、預(yù)加熱腔和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，爐門通過升降機(jī)構(gòu)安裝在工藝腔體的下方，工藝腔體內(nèi)部設(shè)有工藝爐管和加熱器，晶圓架通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)安裝在爐門上，使用時由旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動晶圓架轉(zhuǎn)動；預(yù)加熱腔安裝在工藝腔體的上面，預(yù)加熱腔通過氣體通道與工藝爐管連通，預(yù)加熱腔內(nèi)設(shè)有預(yù)加熱裝置，預(yù)加熱腔上設(shè)置進(jìn)氣口，工藝腔體的遠(yuǎn)離預(yù)加熱腔的位置設(shè)置抽氣口；使用時從進(jìn)氣口輸入工藝氣體，工藝氣體經(jīng)預(yù)加熱腔的預(yù)加熱裝置加熱后再進(jìn)入工藝爐管內(nèi)，同時從抽氣口抽出氣體。本發(fā)明能更均勻的對內(nèi)部的晶圓片進(jìn)行加熱，從而得到更高質(zhì)量的碳化硅柵氧層。
6月5日，匯成真空首次公開發(fā)行股票并在深交所創(chuàng)業(yè)板成功上市。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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