盡管目前市場上SiC襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及，但國內(nèi)SiC襯底頭部廠商普遍都在積極布局8英寸，其中就包括南砂晶圓。
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早在2022年9月，南砂晶圓就聯(lián)合山東大學(xué)成功實現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶，并加工成厚度為520μm的8英寸4H-SiC襯底。
為加速8英寸SiC襯底產(chǎn)業(yè)化，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目于2023年6月12日落地山東濟南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。
今年3月，南砂晶圓總經(jīng)理王垚浩在接受采訪時表示，該公司正在積極擴產(chǎn)濟南廠區(qū)，計劃將中晶芯源項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，投資額15億元，于2025年實現(xiàn)滿產(chǎn)達產(chǎn)。
而在近日，中晶芯源8英寸SiC項目傳出了最新進展。6月22日，新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會在濟南開幕。開幕式上，中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投產(chǎn)。
目前，南砂晶圓致力于降本增效。今年5月，南砂晶圓與中機新材簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。后者已在第三代半導(dǎo)體晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域取得多項關(guān)鍵性技術(shù)突破，其首創(chuàng)的團聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點。與中機新材合作，南砂晶圓有望在SiC產(chǎn)線關(guān)鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)降本。
伴隨著8英寸SiC項目投產(chǎn)，南砂晶圓有望進一步降低成本、提升SiC襯底產(chǎn)品競爭力，進而獲取更多的市場份額。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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