預計年底量產(chǎn),Apro Semicon開發(fā)出8英寸1200V GaN外延片

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 07 月 25 日 15:55 | 分類 企業(yè)

據(jù)韓媒報道,Apro Semicon 24日宣布,公司已開發(fā)出8英寸1200V硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片,并預計今年年底大規(guī)模投產(chǎn)。

報道稱,繼2021年引進對8英寸GaN的發(fā)展至關重要的MOCVD設備之后,Apro Semicon一直在推動GaN外延片的開發(fā)。經(jīng)過約三年的研發(fā),該公司成功開發(fā)出了8英寸1200V GaN外延片。據(jù)介紹,該產(chǎn)品的可承受的最高電壓(擊穿電壓)為1600V,可實現(xiàn)高效功率轉換,而且外延片厚度和均勻性的質量已提高到99%。

據(jù)悉,Apro Semicon最初計劃開發(fā)GaN外延片是為了供應給母公司Apro,用于其二次電池活化設備。然而,由于最近快速充電器、電源和汽車電子等產(chǎn)品對GaN功率半導體的需求擴大,該公司決定拓寬目標市場,并開始與多家系統(tǒng)制造商展開全面合作。

除功率半導體外,Apro Semicon還在開發(fā)用于射頻(RF)器件的外延片。據(jù)報道,該公司正在與韓國國內射頻半導體公司進行“GaN on SiC”外延片的樣品測試。

在融資方面,繼去年成功獲得50億韓元(折合人民幣約2600萬元)的A輪投資后,Apro Semicon今年正在進行500億韓元(折合人民幣約2.6億元)的B輪融資,用以加速GaN外延片的大規(guī)模生產(chǎn)。

Apro Semicon在建的龜尾GaN外延工廠(source:Apro Semicon)

Apro Semicon在最近獲得了約100億韓元(折合人民幣約5200萬元)的融資,這筆款項計劃用來引進新的MOCVD設備,以進一步投資其位于龜尾的GaN外延片量產(chǎn)工廠。公司的龜尾工廠已于今年10月竣工,并將于年底投入運營。這里生產(chǎn)的外延片將與DB HiTeK(東部高科)等代工廠合作,生產(chǎn)GaN半導體芯片。(集邦化合物半導體Morty整理)

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