11月20日，據(jù)三菱電機(jī)官網(wǎng)消息，三菱電機(jī)將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預(yù)計(jì)于2026年10月開始運(yùn)營(yíng)。
source：三菱電機(jī)
作為功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工序的主要工廠，該工廠將整合以前分散的封裝和測(cè)試生產(chǎn)線，以簡(jiǎn)化從零部件進(jìn)貨到制造和最終發(fā)貨的生產(chǎn)流程。將實(shí)施新系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)制造流程管理和產(chǎn)品運(yùn)輸?shù)淖詣?dòng)化，從而提高生產(chǎn)率。此外，三菱電機(jī)將加強(qiáng)從設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)驗(yàn)證到制造的一體化系統(tǒng)，以增強(qiáng)產(chǎn)品開發(fā)能力。
三菱電機(jī)期望新工廠能夠支持其快速穩(wěn)定地供應(yīng)產(chǎn)品，以滿足市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體需求的預(yù)期增長(zhǎng)。
在功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面，三菱電機(jī)近日宣布，其于11月14日開始提供用于電動(dòng)汽車（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）和其他電動(dòng)汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）裸片樣品。
這是三菱電機(jī)首款標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體芯片，這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù)，有助于提升逆變器性能、延長(zhǎng)續(xù)航里程和提高xEV的能源效率。
根據(jù)三菱電機(jī)披露的消息，其此次發(fā)布的新型功率半導(dǎo)體芯片是一種特有的溝槽柵SiC-MOSFET，與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比，其功率損耗降低了約50%。
據(jù)悉，三菱電機(jī)于1997年開始量產(chǎn)用于xEV的功率半導(dǎo)體模塊，并已應(yīng)用于各種電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（HEV）。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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