1月12日，全磊光電股份有限公司（下文簡稱“全磊光電”）化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目在廈門開工。
source：全磊光電
據(jù)全磊光電官方微信介紹，該園區(qū)將引進國際領先的生產(chǎn)設備和技術工藝，打造集智能化生產(chǎn)、研發(fā)創(chuàng)新以及配套服務于一體的產(chǎn)業(yè)化基地，致力于實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的規(guī)?；?、智能化、集約化。
據(jù)了解，全磊光電主要為光電子和微電子行業(yè)客戶提供光通信、數(shù)據(jù)中心、智能傳感等應用的高品質(zhì)外延片，包含InP和GaAs基多種光電產(chǎn)品，涵蓋激光器（FP/DFB/VCSEL）以及探測器（MPD/PIN/APD）等各系列產(chǎn)品。
據(jù)集邦化合物半導體觀察，近期國內(nèi)還有多個化合物半導體項目刷新進度?！?/p>
芯辰半導體12月16日，芯辰半導體外延設備已投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）光芯片四元化合物全材料體系。此外，相關外延片已獲客戶長期合作訂單，其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓，同時配套有相關晶圓質(zhì)量檢測設備?！?/p>
唐晶量子12月22日，唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目投產(chǎn)。該項目建設了一條砷化鎵和磷化銦化合物半導體外延片生產(chǎn)線，用于化合物半導體外延片的研發(fā)及生產(chǎn)?！?/p>
立昂微12月23日，立昂微子公司海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目正式通線。項目規(guī)劃總投資50億元，布局6英寸砷化鎵微波射頻芯片、氮化鎵（GaN HEMT）以及垂直腔面激光器（VCSEL）等產(chǎn)品領域，建成后將達到年產(chǎn)36萬片6英寸微波射頻芯片及器件的生產(chǎn)規(guī)模?！?/p>
浪潮半導體1月6日，浪潮集團打造的半導體激光器外延片、芯片、器件一體化研發(fā)生產(chǎn)基地——浪潮半導體產(chǎn)業(yè)園投產(chǎn)。項目總投資6個多億，投產(chǎn)后年產(chǎn)半導體激光芯片、器件等6000多萬只。（集邦化合物半導體Morty整理）
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