文章分類： 企業(yè)

東芝開始量產(chǎn)第三代1700V SiC MOSFET模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 11 日 11:01 |
| 分類: 企業(yè)
3月6日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（下文簡稱“東芝”）宣布，公司已開始批量生產(chǎn)用于工業(yè)設(shè)備的第三代碳化硅（SiC）1700 V、漏極電流（DC）額定值為250 A的SiC MOSFET模塊“MG250V2YMS3”，并擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容。 source：東芝 據(jù)介紹，新產(chǎn)品M...  [詳內(nèi)文]

SiC企業(yè)安森德與高校合作建立實驗室

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 11 日 11:00 |
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3月6日，安森德半導(dǎo)體（下文簡稱“安森德”）官微發(fā)文稱，“南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院-安森德半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室”（以下簡稱“聯(lián)合實驗室”）于近日在南科大微電子學(xué)院正式揭牌。 source：南方科技大學(xué) 安森德表示，聯(lián)合實驗室的成立，標(biāo)志著雙方將在電源管理及模擬芯片設(shè)計等技術(shù)領(lǐng)域的...  [詳內(nèi)文]

希爾電子功率半導(dǎo)體新項目廠房預(yù)計下半年投用

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 17:49 |
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3月5日，據(jù)“樂山發(fā)布”消息，位于四川樂山高新區(qū)的希爾電子功率半導(dǎo)體新項目廠房預(yù)計在今年下半年逐步投用，屆時該公司將新增4個品類的生產(chǎn)線。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，自2000年5月成立以來，希爾電子專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造及銷售，擁有從芯片設(shè)計、制造到器件研發(fā)、...  [詳內(nèi)文]

晶湛半導(dǎo)體GaN外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項目竣工驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 17:47 |
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近日，據(jù)“獨墅湖科創(chuàng)區(qū)發(fā)布”官微消息，晶湛半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項目已于2024年1月15日取得竣工驗收備案證。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，該項目占地面積16.5畝，總建筑面積2.2萬平方米，總投資2.8億元，預(yù)計年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN...  [詳內(nèi)文]

華潤微：SiC目前產(chǎn)能達(dá)到2500片/月

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 17:43 |
| 分類: 企業(yè)
近日，華潤微接受投資機構(gòu)調(diào)研，介紹了公司SiC、GaN等產(chǎn)品進(jìn)展情況。 SiC方面，據(jù)華潤微介紹，公司SiC產(chǎn)品包括SiC MOSFET、SiC JBS以及SiC模塊產(chǎn)品。其中，SiC MOSFET、SiC JBS在新能源汽車、充電樁、光伏、儲能等領(lǐng)域的頭部客戶均實現(xiàn)規(guī)模上量，S...  [詳內(nèi)文]

成本降低75%，SiC公司Gaianixx再獲得1700萬元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:25 |
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3月6日，日本東京大學(xué)初創(chuàng)企業(yè)Gaianixx Co., Ltd宣布，公司在B輪第二輪融資中籌集了3.5億日元（折合人民幣1700萬元）。 公開資料顯示，Gaianixx專注于開發(fā)、制造和銷售“多能中間膜”和外延膜。公司旗下“多能中間膜”可用于生產(chǎn)調(diào)節(jié)電壓和電流的功率半導(dǎo)體。該技...  [詳內(nèi)文]

80億元，天域半導(dǎo)體SiC外延項目預(yù)計今年4月投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 06 日 18:00 |
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2023年3月17日，東莞市2023年首批重大項目動工儀式在松山湖天域半導(dǎo)體項目現(xiàn)場舉行，啟動天域半導(dǎo)體、光大半導(dǎo)體、比亞迪汽車零部件等60個重大項目建設(shè)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 其中，天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目投資額達(dá)80億元，為此次園區(qū)集中動工項目中...  [詳內(nèi)文]

降本增效，德州儀器轉(zhuǎn)型8英寸GaN工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 06 日 18:00 |
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德州儀器（TI）近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰(zhàn)略規(guī)劃，該公司正在將其GaN-on-Si生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過渡。 source：德州儀器 TI從6英寸轉(zhuǎn)型8英寸 3月5日，TI韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin表示，TI正在美國達(dá)拉斯、日本會津和其他地方興建8英寸晶圓...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科擬赴港上市

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 06 日 17:50 |
| 分類: 企業(yè)
3月5日，據(jù)《路透社》旗下IFR報道，英諾賽科正計劃最早于今年內(nèi)，在香港進(jìn)行IPO，融資規(guī)模約3億美元。 消息還指出，英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進(jìn)行合作。 據(jù)悉，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。而...  [詳內(nèi)文]

布局SiC，軍工電子龍頭出手振華科技

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 06 日 14:57 |
| 分類: 企業(yè)
3月4日，中國振華（集團(tuán)）科技股份有限公司（下文簡稱“振華科技”）在投資者關(guān)系平臺表示，“十四五”期間，公司大力發(fā)展以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體。SiC方面，未來公司將具備芯片自主設(shè)計、封測能力，實現(xiàn)SiC SBD系列產(chǎn)品自制，同時開展SiC VDMOS系列產(chǎn)品的設(shè)計開發(fā)...  [詳內(nèi)文]