文章分類: 企業(yè)

三安光電間接控股股東增持近1億元,持股比例已超5%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 20 日 14:16 |
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8月2日,三安光電公布了間接控股股東三安集團(tuán)及其一致行動(dòng)人增持股份的計(jì)劃,該計(jì)劃實(shí)施完畢后,三安集團(tuán)將合計(jì)增持金額5,000萬至1億元。昨日(9/19)日晚間,三安光電發(fā)布公告宣布間接控股股東的增持計(jì)劃實(shí)施完畢。 公告顯示,截至9月19日,三安集團(tuán)通過上海證券交易所交易系統(tǒng)累計(jì)增...  [詳內(nèi)文]

突破,三安集成發(fā)布自研HP-SAW,可實(shí)現(xiàn)極高Q值及優(yōu)異溫漂特性

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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9月19日,三安集成官方公眾號發(fā)文稱,公司基于自研鍵合多層壓電襯底技術(shù),在新材料及新建模的基礎(chǔ)上,推出HP-SAW濾波器系列產(chǎn)品。 濾波器通過電容、電阻、電感等元件組合來濾除特定頻率外的信號,起到保留特定頻率的功能。其作為選頻過濾功能實(shí)現(xiàn)的重要器件,可以保障通訊鏈路在“特定工作頻...  [詳內(nèi)文]

拓荊科技:業(yè)績與訂單雙豐收!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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拓荊科技作為國內(nèi)薄膜沉積行業(yè)領(lǐng)軍者,其產(chǎn)品線包括離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲(chǔ)、長鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。 近期接受調(diào)研表示,公...  [詳內(nèi)文]

這家公司與北京大學(xué)成立第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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東科半導(dǎo)體官方公眾號發(fā)文稱,9月15日,東科半導(dǎo)體(安徽)股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。 source:東科半導(dǎo)體 北京大學(xué)集成電路學(xué)科作為我國第一個(gè)半導(dǎo)體...  [詳內(nèi)文]

這家公司第三代半導(dǎo)體器件明年有望大量出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:48 |
| 分類: 企業(yè)
9月15日,長電科技在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司封裝的第三代半導(dǎo)體器件,已經(jīng)應(yīng)用于汽車,工業(yè)儲(chǔ)能等領(lǐng)域并進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段。 預(yù)計(jì)2024年起相關(guān)產(chǎn)品營收規(guī)模有望大幅增長,并在未來幾年顯著成長,將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場上的快速上量。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 根據(jù)Tren...  [詳內(nèi)文]

深圳院企聯(lián)手,拓展第三代半導(dǎo)體先進(jìn)材料研發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:45 | | 分類: 企業(yè)
近日,中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院(下文簡稱“深圳先進(jìn)院”)光子信息與能源材料研究中心(下文簡稱“研究中心”)與深圳市納設(shè)智能裝備有限公司(下文簡稱“納設(shè)智能”)成立了先進(jìn)材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研深度融合。 院企強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合 據(jù)了解,研究中心成立于2008年,專注于高性能多元化合物...  [詳內(nèi)文]

比亞迪獲得“一種溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利授權(quán)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
9月12日,比亞迪股份有限公司獲得“一種溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利授權(quán),其授權(quán)公號為CN114122122B。 根據(jù)專利摘要可知,此發(fā)明屬于電氣元件領(lǐng)域,特別是涉及一種溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法。 溝槽型半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體基板、漏電極區(qū)、柵電極區(qū)、源電極區(qū)和絕緣柵介質(zhì)...  [詳內(nèi)文]

10億GaN基大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器項(xiàng)目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:35 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)長江日報(bào)報(bào)道,9月14日,2023年三季度武漢市億元以上重大項(xiàng)目集中開工活動(dòng)舉行。三季度武漢市共173個(gè)重大項(xiàng)目集中開工,總投資1465.7億元。其中,江夏區(qū)分會(huì)場20個(gè)重大項(xiàng)目集中開工,總投資135.4億元,其中一個(gè)項(xiàng)目是武漢鑫威源大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。 據(jù)悉,鑫...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)積電擬投資1億美元入股Arm

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:34 |
| 分類: 企業(yè)
9月12日,臺(tái)積電召開董事會(huì),確定將在1億美元的限度內(nèi)認(rèn)購軟銀集團(tuán)旗下Arm的普通股票,認(rèn)購價(jià)格將根據(jù)Arm首次公開發(fā)行的價(jià)格后確定。 市場消息稱,截至當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月11日,Arm已經(jīng)獲得10倍超額認(rèn)購,招股價(jià)也將確立在招股區(qū)間的上限,也就是每股至少51美元。 根據(jù)早先的Arm的招...  [詳內(nèi)文]

產(chǎn)能滿載,錼創(chuàng)科技擬擴(kuò)大6英寸晶圓產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
錼創(chuàng)科技董事長李允立日前表示,目前公司產(chǎn)能滿到年底,6英寸芯片月產(chǎn)能1,500至2,000片,未來兩至三年會(huì)是關(guān)鍵,不排除到歐洲、美洲、日本、印度進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充。不過據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),錼創(chuàng)計(jì)劃逐步提高產(chǎn)能,到年底月產(chǎn)能拉到1萬片晶圓。 據(jù)外媒Micro LED-info報(bào)導(dǎo),錼創(chuàng)透露正在...  [詳內(nèi)文]