有消息稱，iPhone 15機(jī)型雖均采用與iPhone 14 Pro機(jī)型相同的動態(tài)島設(shè)計，但差別在于iPhone 14 Pro將proximity sensor放置屏下/在動態(tài)島外，而iPhone 15系列則在動態(tài)島面積幾乎沒有變化下，將proximity sensor放置在動態(tài)島內(nèi)?；诖烁淖?，F(xiàn)inisar (被Coherent/II-VI收購) 將改供應(yīng)波長940nm的proximity sensor (iPhone 14 Pro為1380nm)，而上游epi wafer供應(yīng)商也改為IQE。
近日，有消息傳英國廠商IQE將取代臺企聯(lián)亞，成為蘋果iPhone 15系列的近距離傳感器的外延晶圓獨家供應(yīng)商。
據(jù)天風(fēng)國際證券分析師郭明錤在3月24 日于社交平臺發(fā)文表示，IQE將取代聯(lián)亞，成為iPhone 15系列的proximity sensor的磊晶晶圓 (epi wafer) 獨家供應(yīng)商。所有iPhone 15機(jī)型雖均采用與iPhone 14 Pro機(jī)型相同的動態(tài)島設(shè)計，但差別在于iPhone 14 Pro將proximity sensor放置屏下/在動態(tài)島外，而iPhone 15系列則在動態(tài)島面積幾乎沒有變化下，將proximity sensor放置在動態(tài)島內(nèi)。
基于此改變，F(xiàn)inisar (被Coherent/II-VI收購) 將改供應(yīng)波長940nm的proximity sensor (iPhone 14 Pro為1380nm)，而上游epi wafer供應(yīng)商也改為IQE。
近距離傳感器用來感測物體的距離，并相對應(yīng)地做出該有的反應(yīng)，比如當(dāng)手機(jī)用戶接聽電話或者裝進(jìn)口袋時，傳感器可以判斷出手機(jī)貼近了人的臉部或者衣服而關(guān)閉屏幕的觸控功能，以防止錯誤操作。郭明錤認(rèn)為，iPhone 15系列動態(tài)島面積幾乎沒有變化下，但近距離傳感器將放在動態(tài)島內(nèi)，因此Finisar將改供應(yīng)波長940nm的近接傳感器，而上游外延芯片供應(yīng)商也改為IQE，而非目前的聯(lián)亞。
簡而言之，蘋果公司可能是為了提高iPhone 15系列的近接傳感器性能和設(shè)計效果，才選擇了IQE作為新的供應(yīng)商。
IQE和聯(lián)亞都是生產(chǎn)以砷化鎵與磷化銦為基板的Ⅲ-Ⅴ族材料化合物的磊芯片的公司。IQE是英國的外延晶圓大廠，而聯(lián)亞是中國臺灣地區(qū)的光通信模塊臺廠。
據(jù)悉，IQE是一家倫敦上市公司，專注于基于砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN) 和硅的先進(jìn)硅和化合物半導(dǎo)體材料。該公司是通過金屬有機(jī)氣相外延(MOCVD)、分子束外延(MBE) 和化學(xué)氣相沉積(CVD)制造外延片的最大獨立外包生產(chǎn)商。
IQE 由 Drew Nelson 和 Michael Scott 于 1988 年創(chuàng)立，前身是Epitaxial Products International ( EPI )。最初，該公司專門為主要用于光纖通信的光電設(shè)備生產(chǎn)外延片。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)技術(shù)用于生產(chǎn)半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管(LED) 和光電探測器，設(shè)計用于在 1300 nm 和 1550 nm 的波長下工作，用于長距離光纖通信。
1999 年，Epitaxial Products International 與位于賓夕法尼亞州的 Quantum Epitaxial Designs (QED) 合并，成立了 IQE。QED 由 Tom Hierl 創(chuàng)立。
同樣在 1999 年，新合并的實體在歐洲 Easdaq (納斯達(dá)克歐洲) 證券交易所進(jìn)行了首次公開募股(IPO)，隨后一年后在倫敦證券交易所上市。
與 QED 的合并為該集團(tuán)帶來了一系列基于分子束外延(MBE) 技術(shù)的新型制造工具和一系列無線電信產(chǎn)品。合并后，IQE 成為第一家使用 MOCVD 和 MBE 技術(shù)生產(chǎn)光電和射頻 (RF) 外延晶圓的獨立外包制造商。伯利恒工廠專門生產(chǎn)多種無線產(chǎn)品，包括假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT) 和金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)。
2000 年，該公司成立了一家新的全資子公司，專門從事硅基外延生長。IQE Silicon 成立于毗鄰集團(tuán)總部和位于英國威爾士卡迪夫的歐洲制造基地的新工廠。
新子公司使用化學(xué)氣相沉積(CVD) 工具生產(chǎn)硅和鍺外延晶片，以提高硅加工性能、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 和納米技術(shù)應(yīng)用。
同樣在 2000 年，該集團(tuán)收購了位于英國米爾頓凱恩斯的 Wafer Technology 。此次收購為該集團(tuán)提供了砷化鎵(GaAs) 和磷化銦(InP)襯底的內(nèi)部生產(chǎn)，并增加了用于紅外應(yīng)用的銻化鎵(GaSb) 和銻化銦(InSb)的生產(chǎn)能力。
2006 年，集團(tuán)從 Emcore 手中收購了電子材料部門，為 IQE 提供了位于新澤西州薩默塞特的第二個美國業(yè)務(wù)。此次收購進(jìn)一步增加了 MOCVD 產(chǎn)能和互補(bǔ)射頻 (RF) 產(chǎn)品，包括異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT) 和雙極場效應(yīng)晶體管(BiFET)。
同樣在 2006 年，該集團(tuán)以新加坡MBET 技術(shù)的形式進(jìn)一步收購，為該集團(tuán)提供了完整的多站點、多技術(shù)和多產(chǎn)品能力，從而成為世界上最大的外延片獨立合同制造商。2009 年，該集團(tuán)收購了巴斯大學(xué)的一家初創(chuàng)公司 NanoGaN，從而 增加了新的獨立式氮化鎵(GaN) 襯底能力。
2012年，IQE集團(tuán)收購了位于美國華盛頓州斯波坎的Galaxy Compound Semiconductors和位于美國北卡羅來納州格林斯伯勒的RFMD的MBE外延制造部門。
該公司于 2018 年 11 月 12 日向證券交易所發(fā)布公告稱，其產(chǎn)品的出貨量將大幅減少，也對盈利能力產(chǎn)生重大影響，導(dǎo)致股價暴跌。
IQE于2019財年營收凈虧損3500萬英鎊，銷售額與2018年相比下降了10%。
2022年5月，IQE與初創(chuàng)公司Porotech達(dá)成了戰(zhàn)略合作，進(jìn)軍micro-LED新興市場。Porotech于2020年從劍橋大學(xué)分拆出來，目前正在研究基于多孔氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的新型可見光發(fā)射器。
2022年6月22日，IQE 與創(chuàng)新光學(xué)和光子產(chǎn)品設(shè)計與制造商Lumentum共同宣布，雙方簽署了一項多年協(xié)議，IQE將為Lumentum提供支持3D傳感、汽車激光雷達(dá)和光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的外延片（Epiwafer）。（文：國際電子商情）
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