近期，為了推進GaN在高頻市場的應用，英諾賽科基于150V電壓平臺推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。
其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量產(chǎn)。INN150FQ070A，采用 FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引腳設(shè)計，已通過小批量試產(chǎn)。
Source：英諾賽科
這兩款產(chǎn)品能夠滿足工業(yè)級可靠性要求，主要應用于太陽能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器，PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機驅(qū)動和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
從業(yè)績上來看，今年第一季度，英諾賽科的GaN芯片出貨量突破了5000萬顆，銷售額達1.5億，是去年同期的4倍。同時，依靠8英寸硅基GaN IDM全產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢，英諾賽科40V/100V/150V低壓平臺也實現(xiàn)全面升級， 40V雙向?qū)óa(chǎn)品、100V半橋驅(qū)動合封產(chǎn)品等多系列產(chǎn)品相繼發(fā)布。
GaN尋找新藍海
當前，消費電子是GaN應用的主要驅(qū)動力，尤其是在手機快充領(lǐng)域。但在過去幾年，基于GaN的手機快充滲透率持續(xù)提升，且手機充電器屬于低頻消費品，更換周期長，當前智能手機出貨量又總體萎靡，加之有眾多企業(yè)涌入手機快充領(lǐng)域，導致該領(lǐng)域已經(jīng)進入紅海市場。所以，對于GaN企業(yè)來說，擴展全新的版圖顯得尤為重要。而to B市場則比較有增長潛力。尤其是在新能源領(lǐng)域。
除了此次英諾賽科的GaN產(chǎn)品被用于微型逆變器之外，去年年末，浙江貝尼電氣官網(wǎng)對外展示了他們的2800W四路微型逆變器，并聲稱是全球首款成熟的應用GaN技術(shù)的微型逆變器。
此外，去年的德國慕尼黑電子展期間，無晶圓半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)與荷蘭Neways國際電子公司簽署了合作協(xié)議，擬共同開發(fā)高效GaN光伏太陽能逆變器產(chǎn)品?？傮w來看，目前已經(jīng)有廠商開始將GaN器件應用于微型逆變器產(chǎn)品中。
光伏之外，GaN上車也成為當前的熱門。作為一種高電子遷移率晶體管（HEMT），GaN FET優(yōu)異的材料和器件特性使其成為汽車電源系統(tǒng)和射頻器件中，更先進應用的理想選擇。
此外，EV的電力系統(tǒng)常常在高開關(guān)頻率、高輸出電流和高電壓下運行，GaN所具備的出色的高頻特性可以被用在電動汽車的牽引逆變器、車載充電機（OBC）、DC/DC轉(zhuǎn)換器、激光雷達上的電源模塊、汽車座艙內(nèi)的無線充電等場景中。據(jù)悉，歐盟已在2021年啟動項目，目標是將GaN的電壓提升到1200V，并將晶圓尺寸從6吋增大到12吋。
目前，英諾賽科GaN已經(jīng)用于車載激光雷達產(chǎn)品上，且實現(xiàn)了量產(chǎn)。今年年初，GaN Systems在應用電力電子會議 (APEC 2023) 上發(fā)表了最新 11kW/800V GaN車載充電器 (On-Board Charger) 參考設(shè)計，與采用SiC晶體管產(chǎn)品相比，提高 36% 功率密度，降低至少 15% 整體物料清單 (BOM) 成本。
此外，2021年寶馬與GaN Systems合作，就寶馬高性能車載標準氮化鎵功率半導體簽訂了全面的產(chǎn)能協(xié)議，合作金額達1億美元。（文：集邦化合物半導體 Jump整理）
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