今日，思銳智能官微發(fā)布消息，英諾賽科與公司簽訂了一項(xiàng)新的ALD設(shè)備的采購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，思銳智能將為英諾賽科供應(yīng)用于GaN晶圓制造前道工藝的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備，支持其8英寸硅基GaN晶圓產(chǎn)線的擴(kuò)充。
01、英諾賽科深化GaN布局
英諾賽科8英寸晶圓產(chǎn)線于2019年開始大規(guī)模生產(chǎn)，2021年成為全球最大的8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)。其珠海基地GaN晶圓產(chǎn)能達(dá)到4000片/月，蘇州基地產(chǎn)能達(dá)到6000片/月，合計(jì)供應(yīng)超過全球50%以上GaN產(chǎn)能。基于英諾賽科的成本優(yōu)勢，在去年整體行情不好的情況下，公司的8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量依然突破1億顆。
在終端應(yīng)用上，手機(jī)充電器是GaN的最大應(yīng)用場景，目前英諾賽科的GaN芯片已經(jīng)用于三星，OPPO，VIVO，聯(lián)想，雅迪，LG，安克，努比亞，倍思，綠聯(lián)，閃極等數(shù)多家知名品牌和廠商。
在消費(fèi)電子之外，英諾賽科也在積極擴(kuò)展全新的領(lǐng)域。在電動汽車領(lǐng)域英諾賽科珠海工廠已通過汽車認(rèn)證，預(yù)計(jì)將在2024年生產(chǎn)用于汽車應(yīng)用的8英寸硅基GaN器件。英諾賽科也針對數(shù)據(jù)中心供電做了全面的布局，可以給客戶提供全鏈路的GaN供電解決方案。
從業(yè)績上來看，英諾賽科在2022年全年的業(yè)績同比增長300%，今年第一季度出貨量也突破5000萬顆，銷售額達(dá)到1.5億，是去年同期的4倍。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
02、ALD技術(shù)在GaN領(lǐng)域的應(yīng)用
薄膜沉積是半導(dǎo)體前道制造的核心工藝之一。一般需要使用不同的薄膜沉積技術(shù)如化學(xué)氣相沉積 (CVD)、原子層沉積 (ALD) 和物理氣相沉積(PVD)，來滿足不同的需求。但在這幾種沉積技術(shù)中，傳統(tǒng)的物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積 (CVD)在精度、均勻性、成分控制、復(fù)雜結(jié)構(gòu)制備等方面都存在一定的限制。
相比之下，原子層沉積 (ALD) 技術(shù)在精度、均勻性、成分控制和復(fù)雜結(jié)構(gòu)制備方面的優(yōu)勢使其成為當(dāng)今半導(dǎo)體制造和納米技術(shù)領(lǐng)域的重要工具，為高性能和高可靠性的器件制造提供了關(guān)鍵支持。例如ALD薄膜可用于高質(zhì)量的柵極介電疊層，有助于提升器件擊穿電壓、漏電抑制和阻水疏氧效果。
而GaN領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用，從柵極的介電層，到成核層，然后從側(cè)壁的鈍化層，到后面的封裝里面都會有ALD的應(yīng)用，有非常多的ALD應(yīng)用場景。
思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備，是公司近40年ALD技術(shù)積累的集大成者，支持配置多個(gè)ALD工藝模塊，兼容熱法及等離子體功能，可為應(yīng)對不斷增長的產(chǎn)能和新的應(yīng)用而進(jìn)行升級。
其ALD鍍膜技術(shù)能夠有效增強(qiáng)GaN器件的性能。首先，通過ALD薄膜可實(shí)現(xiàn)器件表面的鈍化和覆蓋；其次，通過氧化鋁疊層實(shí)現(xiàn)柵極高K介電質(zhì)的沉積；接下來，通過原位預(yù)處理去除自然氧化層，實(shí)現(xiàn)表面穩(wěn)定；最后，通過高質(zhì)量的ALD氮化鋁來實(shí)現(xiàn)緩沖層，形成更具生產(chǎn)效益的量產(chǎn)方案。目前思銳智能的Transform系列已進(jìn)入歐洲、北美、日本和中國大陸及臺灣地區(qū)知名廠商，并實(shí)現(xiàn)重復(fù)訂單。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理）
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