“移族”獲數(shù)千萬元融資,氮化鎵加速進(jìn)入儲(chǔ)能領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 01 月 16 日 16:28 | 分類 氮化鎵GaN

作為第三代半導(dǎo)體材料的“雙雄”之一,氮化鎵能突破硅的理論極限,滿足市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體更低功耗、更高功率密度、更環(huán)保的需求,是當(dāng)下熱門的技術(shù),在資本市場(chǎng)備受青睞。

而隨著技術(shù)的成熟,氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域早已突破了消費(fèi)電子,向數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域拓展。其中,儲(chǔ)能領(lǐng)域市場(chǎng)廣闊,資本云集。

聚焦戶外儲(chǔ)能,移族獲數(shù)千萬元天使輪融資

近日,深圳市移族電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱:移族)完成數(shù)千萬元天使輪融資,投資方為度量衡資本。本輪融資資金主要用于產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)推廣。

據(jù)悉,移族成立于2020年,是一家以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的家庭和移動(dòng)能源的整體方案提供者。

2022年8月,移族發(fā)布了全新旗艦產(chǎn)品——墨子系列戶外電源墨子M2000。據(jù)了解,墨子M2000采用了更高能量密度的半固態(tài)電池,搭配氮化鎵逆變器,減輕了重量和體積。同時(shí),得益于氮化鎵的高效率和低發(fā)熱特性,墨子M2000僅需風(fēng)扇輔助散熱,噪音十分低。

圖源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

應(yīng)用擴(kuò)展,氮化鎵加速挖金儲(chǔ)能賽道

戶外電源在戶外旅行和應(yīng)急救災(zāi)中備受歡迎。其中,戶外旅行包含徒步、露營(yíng)、房車等場(chǎng)景,戶外電源可以提供臨時(shí)用電;而在應(yīng)急救災(zāi)中,戶外電源可以為應(yīng)急照明、醫(yī)療設(shè)備、搶險(xiǎn)機(jī)械等提供緊急供電。

將氮化鎵應(yīng)用至戶外電源,對(duì)戶外電源產(chǎn)品而言是一次技術(shù)和性能的革命。與傳統(tǒng)戶外電源相比,氮化鎵戶外電源可以在提高戶外電源的壽命和可靠性的同時(shí),降低電源體積,方便攜帶。目前,除了移族外,安克、電小二等終端品牌廠也已推出了氮化鎵戶外電源產(chǎn)品,氮化鎵在儲(chǔ)能領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)正在得到終端用戶的認(rèn)可。而產(chǎn)業(yè)鏈上對(duì)這一技術(shù)的研究也從未止步。

英飛凌于2023年10月正式完成對(duì)GaN Systems的收購(gòu),獲得更豐富的GaN IP和更多研發(fā)力量。在其舉辦的“2023大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)”上,英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉指出,氮化鎵已經(jīng)發(fā)展到一個(gè)新的拐點(diǎn),其應(yīng)用不僅局限于充電器。預(yù)計(jì)未來氮化鎵在儲(chǔ)能領(lǐng)域?qū)@得一個(gè)明顯的增長(zhǎng)過程。

英諾賽科擁有8英寸硅基氮化鎵研發(fā)和制造平臺(tái),產(chǎn)品覆蓋高、中、低壓全系列。目前,英諾賽科產(chǎn)品的應(yīng)用范圍已從消費(fèi)類電子逐步拓展到數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與儲(chǔ)能領(lǐng)域。

納微半導(dǎo)體已在全球范圍內(nèi)推出其高性能寬帶隙功率平臺(tái)GaNSafe,該平臺(tái)所面向的應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋數(shù)據(jù)中心、太陽能和儲(chǔ)能以及電動(dòng)汽車市場(chǎng)等大功率應(yīng)用場(chǎng)景。

鎵未來自2021年開始大力拓展GaN在雙向逆變器的應(yīng)用,重點(diǎn)聚焦戶外電源應(yīng)用場(chǎng)景,目前已推出4kW GaN大功率無風(fēng)扇雙向逆變器技術(shù)平臺(tái)。鎵未來認(rèn)為,在戶外電源中,雙向逆變器是核心裝置,而GaN在工作頻率和轉(zhuǎn)換效率等方面的優(yōu)勢(shì)凸顯,是雙向逆變器差異化競(jìng)爭(zhēng)的理想選擇。

納芯微已推出的半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2621、集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K等氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品,且均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種應(yīng)用場(chǎng)景。其中,NSG65N15K將半橋驅(qū)動(dòng)器NSD2621和HEMT集成在同一芯片上,可有效減少寄生效應(yīng)和達(dá)到GaN卓越開關(guān)速度的最大化利用。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Winter)

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