賽微電子:氮化鎵芯片處于工藝開發(fā)階段

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 03 月 07 日 17:28 | 分類 氮化鎵GaN

近期,賽微電子在投資者互動平臺透露了相關(guān)產(chǎn)線進展情況,其表示:

深圳產(chǎn)線的相關(guān)工作正在開展中;MEMS先進封裝測試業(yè)務(wù)目前仍處于建設(shè)階段,在試驗線層面,截至目前已在公司MEMS基地(北京FAB3)建成并運營,與客戶需求對接、工藝技術(shù)開發(fā)、部分產(chǎn)品試制等相關(guān)活動已在公司現(xiàn)有條件下展開,工藝技術(shù)團隊搭建持續(xù)進行,與項目相關(guān)的設(shè)備采購已大規(guī)模實施,該項目實施主體賽積國際目前已在公司控股子公司賽萊克斯北京MEMS基地內(nèi)租賃部分空間并建成一條小規(guī)模試驗線;在商業(yè)線層面,基于產(chǎn)線選址、資源要素、發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃等方面的考量,公司仍在謹(jǐn)慎商討決策具體建設(shè)方案,有可能是在現(xiàn)有廠房中推進建設(shè);基于MEMS工藝的氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段,還需要時間;公司已持續(xù)開發(fā)、量產(chǎn)各自不同型號類別的濾波器;公司與武漢敏聲保持長期、穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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