鼎鎵半導(dǎo)體深紫外LED項目入圍南湖區(qū)重點(diǎn)項目名單

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 08 月 11 日 17:35 | 分類 光電

近日,鼎鎵半導(dǎo)體宣布了其基于第三代半導(dǎo)體的大功率深紫外LED芯片的研發(fā)項目進(jìn)入2023年度浙江南湖區(qū)科技計劃重點(diǎn)項目名單。

官方消息顯示,鼎鎵半導(dǎo)體是一家以第三代半導(dǎo)體外延片制備、芯片設(shè)計及相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)為主的研發(fā)先導(dǎo)性科技企業(yè),主要產(chǎn)品是以第三代半導(dǎo)體材料為主的GaN紫外光電半導(dǎo)體芯片(深紫外LED芯片)、深紫外探測器、氮化鎵功率芯片系列。

2022年1月,鼎鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)首張6英寸高功率深紫外LED外延的結(jié)構(gòu)設(shè)計和生長流片,完成了工藝和配方的量產(chǎn)調(diào)試,將傳統(tǒng)的50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產(chǎn)成本降低到原有價格的三分之一,同時將高功率固態(tài)半導(dǎo)體深紫外DUV激光器光源的研制生產(chǎn)變?yōu)榱丝赡堋?/p>

據(jù)介紹,鼎鎵半導(dǎo)體在普通藍(lán)寶石襯底的基礎(chǔ)上,引入了全新的半導(dǎo)體材料與AlGaN材料結(jié)合的方式,通過超晶格結(jié)構(gòu)使用兩類半導(dǎo)體化合物材料優(yōu)勢互補(bǔ),克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現(xiàn)的晶格失配的缺陷,突破了傳統(tǒng)AlGaN外延PIN結(jié)構(gòu)的限制,實(shí)現(xiàn)了6英寸外延生產(chǎn)工藝的創(chuàng)造性突破。

經(jīng)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測,外延一致性達(dá)到了97%,峰值波長在265nm,輸出光功率不低于1500a.u.,核心buffer層厚度突破了4μm。

目前,鼎鎵半導(dǎo)體已獲得多項發(fā)明與實(shí)用新型專利,產(chǎn)品主要應(yīng)用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味,涉及工業(yè)環(huán)保、生命醫(yī)療、民生健康等領(lǐng)域。

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。