年產(chǎn)48萬(wàn)片SiC,芯粵能碳化硅項(xiàng)目通過審查

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 01 月 16 日 14:34 | 分類 碳化硅SiC

近日,廣東省能源局發(fā)布廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司“面向車規(guī)級(jí)和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項(xiàng)目”節(jié)能報(bào)告的審查意見:項(xiàng)目采用的主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和建設(shè)方案符合國(guó)家相關(guān)節(jié)能法規(guī)及節(jié)能政策的要求,原則同意該項(xiàng)目節(jié)能報(bào)告。

據(jù)此前報(bào)道,這是國(guó)內(nèi)唯一一家專注于車規(guī)級(jí)、具備規(guī)?;a(chǎn)業(yè)聚集及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的碳化硅芯片制造項(xiàng)目。項(xiàng)目的發(fā)展也推動(dòng)廣州南沙成為國(guó)內(nèi)首個(gè)實(shí)現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈布局的地區(qū)。

芯粵能碳化硅項(xiàng)目占地150畝,一期投資35億元,建成年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線;二期建設(shè)年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件,主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域,達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值將達(dá)100億元。

項(xiàng)目主要建構(gòu)筑物包括生產(chǎn)廠房、生產(chǎn)調(diào)度廠房、研發(fā)廠房、綜合動(dòng)力站、綜合倉(cāng)庫(kù)、硅烷站、化學(xué)品庫(kù)、廢水處理站、危險(xiǎn)品庫(kù)、大宗氣站等,主要設(shè)備包括光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、烘箱、高溫氧化爐管、高溫激活爐管、清洗機(jī)、冷水機(jī)組、純水制備系統(tǒng)、燃?xì)忮仩t等。

項(xiàng)目能耗量和主要能效指標(biāo):項(xiàng)目建成投產(chǎn)后,年綜合能耗不高于10277噸標(biāo)準(zhǔn)煤(當(dāng)量值),其中年電力消耗量不高于6450萬(wàn)千瓦時(shí)、天然氣消耗量不高于175萬(wàn)立方米;項(xiàng)目集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品電耗不高于0.72千瓦時(shí)/平方厘米。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Cecilia整理)

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