日本電裝首款SiC逆變器“上車(chē)”雷克薩斯

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 04 月 06 日 17:09 | 分類(lèi) 碳化硅SiC

3月31日,汽車(chē)零部件供應(yīng)商日本電裝(Denso Corp.)宣布已開(kāi)發(fā)首款SiC碳化硅逆變器,該逆變器集成在BluE Nexus的電驅(qū)模塊eAxle中,已應(yīng)用到最近剛上市的雷克薩斯首款電動(dòng)汽車(chē)RZ上。

來(lái)源:日本電裝

據(jù)介紹,日本電裝逆變器所用的SiC功率半導(dǎo)體采用其專(zhuān)有的溝槽型MOS結(jié)構(gòu),能夠通過(guò)減少因散熱導(dǎo)致的功耗問(wèn)題,提升每顆芯片的輸出功率,而且晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)高壓、低導(dǎo)通電阻等性能。

值得注意的是,該SiC逆變器的外延片由日本Resonac提供,并聯(lián)合豐田中心研發(fā)實(shí)驗(yàn)室(Toyota Central R&D Labs)共同開(kāi)發(fā),還結(jié)合了日本國(guó)家研發(fā)機(jī)構(gòu)NEDO(New Energy and Industrial Technology Development Organization)的研究成果。

通常情況下,晶體中原子排列亂序會(huì)阻礙器件的正常運(yùn)作,但基于上述研發(fā)工作,日本電裝成功將晶體缺陷數(shù)量減半,從而提升了SiC功率半導(dǎo)體器件的質(zhì)量,確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性。

來(lái)源:日本電裝

來(lái)源:日本電裝

日本電裝將其SiC技術(shù)命名為REVOSIC,2020年12月上市的豐田Mirai便采用了基于REVOSIC技術(shù)的功率晶體管。未來(lái),日本電裝計(jì)劃依托這項(xiàng)技術(shù)全面開(kāi)發(fā)從晶圓到半導(dǎo)體器件和模塊(如電源板)的技術(shù)。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny編譯)

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