SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體有什么疑慮?

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 06 日 17:40 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮,這場(chǎng)研討會(huì)都有答案。

第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn),先天性能優(yōu)越,是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而,現(xiàn)實(shí)與理想之間尚有較大差距,我們對(duì)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮:

前途光明,但入局者眾多、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈,第三代半導(dǎo)體業(yè)者如何才能更快實(shí)現(xiàn)降本增效?

政策支持、資本熱捧下,第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)何時(shí)才能達(dá)到“奇點(diǎn)時(shí)刻”、成為相關(guān)企業(yè)的又一利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)?

國(guó)際環(huán)境復(fù)雜多變,對(duì)于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而言,利與弊是什么?企業(yè)應(yīng)當(dāng)如何規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)?

碳化硅、氮化鎵方興未艾,氧化鎵便洶涌而來(lái),第三代半導(dǎo)體是否仍值得持續(xù)發(fā)力?

碳化硅襯底方面,中國(guó)企業(yè)在產(chǎn)能、良率、代際等方面與國(guó)際企業(yè)之間的差距,如何跨越?

氮化鎵方面,盡管氮化鎵器件能夠提供更高的功率和帶寬,但其終端應(yīng)用仍待開(kāi)發(fā),下一步應(yīng)當(dāng)如何發(fā)展?

為進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來(lái)。2023年6月15日,TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬(wàn)豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”,邀全球知名的第三代半導(dǎo)體專家、院校代表、專業(yè)研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)工程師等齊聚一堂,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展建言獻(xiàn)策,共同促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和升級(jí)。