近期，天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司在上海臨港工廠已經(jīng)于2023年5月進(jìn)入6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品交付階段，并獲得了英飛凌、博世等國(guó)際知名企業(yè)的合作。公司8英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品也已具備量產(chǎn)能力。
隨著產(chǎn)品交付的順利進(jìn)行，臨港工廠正處于產(chǎn)能產(chǎn)量將持續(xù)爬坡階段。得益于公司充足的訂單需求和廣泛的國(guó)內(nèi)外客戶基礎(chǔ)，臨港工廠第一階段30萬(wàn)片的產(chǎn)能產(chǎn)量目標(biāo)將比原計(jì)劃更早達(dá)成。
Source：拍信網(wǎng)
6英寸產(chǎn)能將擴(kuò)大至96萬(wàn)片/年
天岳先進(jìn)在上海臨港擴(kuò)建SiC項(xiàng)目，是由其全資子公司天岳半導(dǎo)體主導(dǎo)。5月消息，上海臨港新片區(qū)管理委員會(huì)對(duì)外公示了《關(guān)于“天岳半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目（調(diào)整）”》的環(huán)評(píng)審批意見(jiàn)。
根據(jù)環(huán)評(píng)審批意見(jiàn)公示，天岳半導(dǎo)體將通過(guò)優(yōu)化生產(chǎn)工藝、調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備、原輔材料和公輔環(huán)保設(shè)施等方式，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量。調(diào)整后，6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大至每年96萬(wàn)片。
據(jù)了解，上海臨港項(xiàng)目于2021年確立，總投資25億元。彼時(shí)，天岳先進(jìn)正在推進(jìn)上市進(jìn)程，其計(jì)劃募資20億元投向臨港項(xiàng)目的建設(shè)，擴(kuò)充SiC半導(dǎo)體材料產(chǎn)能。該項(xiàng)目已于2022年3月成功封頂，并在最近開(kāi)始交付。
值得注意的是，按照之前的規(guī)劃，臨港項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。而通過(guò)此次的產(chǎn)能調(diào)整，臨港項(xiàng)目產(chǎn)能將擴(kuò)大220%，達(dá)96萬(wàn)片/年。
訂單激增
天岳不斷擴(kuò)產(chǎn)的壓力主要來(lái)自訂單量的激增。去年7月，天岳先進(jìn)表示與某客戶簽訂了一份長(zhǎng)期協(xié)議，約定2023年至2025年公司及上海天岳向合同對(duì)方銷(xiāo)售價(jià)值13.93億元的6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品。
今年4月，天岳先進(jìn)又在財(cái)報(bào)中披露，已經(jīng)與博世集團(tuán)簽署長(zhǎng)期協(xié)議。進(jìn)入5月，在天岳先進(jìn)上海臨港SiC工廠正式交付的同一天，天岳先進(jìn)又宣布與英飛凌簽訂了一項(xiàng)新的襯底和晶棒供應(yīng)協(xié)議，將為英飛凌提供6英寸/8英寸SiC材料，其供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量?jī)晌粩?shù)份額。
由于訂單的激增，天岳先進(jìn)為了保證訂單交付以及產(chǎn)能提升的需要，一方面增加了原材料的儲(chǔ)備規(guī)模，另一方面也在積極探索新的技術(shù)。
液相法制備SiC技術(shù)
在本月初上海的Semicon展會(huì)中，天岳先進(jìn)展示了其最新的液相法制備SiC技術(shù)。
該技術(shù)是選用石墨材料作為坩堝，同時(shí)將其作為碳源，在石墨坩堝中填充硅熔體，將SiC晶種放置在石墨坩堝頂部，與熔體接觸，控制晶種溫度略低于熔體溫度，利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)。生長(zhǎng)一般在惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行（如Ar），生長(zhǎng)溫度在1750-2100℃之間。為提高晶體生長(zhǎng)速率，在生長(zhǎng)過(guò)程中可調(diào)節(jié)石墨坩堝和種子晶體旋轉(zhuǎn)方向及旋轉(zhuǎn)速度。
通過(guò)液相法獲得均勻且高品質(zhì)晶體需要對(duì)溫場(chǎng)及流場(chǎng)進(jìn)行控制，具有較高技術(shù)難度，天岳先進(jìn)在該技術(shù)上布局多年。
液相法突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長(zhǎng)界面控制和缺陷控制難題，能夠制造出了低缺陷的 8 英寸晶體。除了產(chǎn)品尺寸外，在大尺寸單晶高效制備方面，這項(xiàng)技術(shù)制備的晶體厚度已突破 60mm。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。