在大尺寸材料愈加受到青睞之際，國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC襯底企業(yè)開(kāi)啟快速追趕國(guó)際廠商的模式，不斷在8英寸SiC襯底領(lǐng)域取得突破。
截至目前，已有超10家國(guó)產(chǎn)企業(yè)研發(fā)出8英寸SiC襯底，并在此基礎(chǔ)上加快產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程，包括爍科晶體、晶盛機(jī)電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、湖南三安半導(dǎo)體等。其中，科友半導(dǎo)體今年以來(lái)在該領(lǐng)域進(jìn)展較快，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)首批自研8英寸SiC襯底的成功下線。
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來(lái)源：科友半導(dǎo)體
據(jù)了解，科友半導(dǎo)體于2022年10月在6英寸SiC晶體厚度上實(shí)現(xiàn)40mm的突破，后于12月份宣布，通過(guò)自主設(shè)計(jì)制造的電阻長(zhǎng)晶爐產(chǎn)出直徑超過(guò)8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無(wú)缺陷，最大直徑超過(guò)204mm。
2023年4月，科友8英寸SiC中試線在正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化，并在SiC襯底加工良率和面型參數(shù)上不斷取得新進(jìn)展。
2023年5月，科友宣布自研出兩種不同加熱方式的PVT法晶體生長(zhǎng)爐，完成了國(guó)產(chǎn)自主1至4代感應(yīng)爐和1至3代電阻爐的研發(fā)，形成大尺寸低成本SiC產(chǎn)業(yè)化制備系列技術(shù)。在此基礎(chǔ)上，科友半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了6英寸SiC單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨，8英寸SiC單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨，自此開(kāi)始向碳化硅晶體生長(zhǎng)企業(yè)提供涵蓋設(shè)備、材料及技術(shù)服務(wù)等全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案。
2023年9月，科友首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底于科友產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)襯底加工車(chē)間成功下線，這標(biāo)志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產(chǎn)業(yè)化方面邁出了堅(jiān)實(shí)一步。
除了加快大尺寸襯底制備技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)之外，科友目前也在積極推進(jìn)SiC擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目的建設(shè)。目前，科友第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目一期已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，全部達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬(wàn)片6英寸SiC襯底的生產(chǎn)能力；二期工程也已開(kāi)工建設(shè)，建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)導(dǎo)電型SiC襯底15萬(wàn)片。按照發(fā)展規(guī)劃，未來(lái)兩年將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20-30萬(wàn)片SiC襯底的產(chǎn)能。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny整理）
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