12月25日，三安光電在互動平臺表示，截至2023年上半年末，公司6英寸碳化硅（SiC）產能為1.5萬片/月，預計2023年末至2024年初，產能規(guī)劃擴產至1.8萬-2萬片/月。三安光電稱，公司8英寸SiC產品已進行了小批量試生產，襯底產品良率水平居國內前列且穩(wěn)步提升。
據(jù)悉，湖南三安主導三安光電旗下SiC/GaN電力電子業(yè)務，具體以SiC為主，GaN目前占比較小。
早在2020年7月，總投資達160億元、占地面積達1000畝的湖南三安半導體項目正式開工。湖南三安半導體主要建設具有自主知識產權的襯底（SiC）、外延、芯片及封裝產業(yè)生產基地，形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的SiC全產業(yè)鏈。項目建成達產后，將形成約36萬片/年的產能。
上半年，得益于SiC市場需求強勁，湖南三安整體業(yè)績保持增長趨勢，實現(xiàn)營收5.82億元，同比增長178.86%；凈利潤為3.32億元，同比增長266.99%。
為推進湖南三安的業(yè)務發(fā)展，今年8月，三安光電決定以自有資金10億元對湖南三安增資，后者注冊資本由20億元增加到30億元。
8英寸方面，湖南三安進展較快。今年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發(fā)8英寸SiC襯底，正式切入8英寸襯底領域；今年10月，湖南三安披露，8英寸SiC襯底已完成開發(fā)，并進入小批量生產及送樣階段；近期，湖南三安將重點放在良率提升上，通過設備調試與工藝優(yōu)化，推進量產進程。
與此同時，湖南三安與意法半導體合資成立的三安意法半導體（重慶）有限公司承建的8英寸SiC器件廠項目已獲批通過，預計將于2025年完成階段性建設并投產，2028年進入達產階段。為保障該項目順利實施，三安光電擬在重慶獨資設立子公司生產SiC襯底作為配套，預計投資總額70億元。
近年來，國內SiC廠商在擴產方面動作頻頻。襯底方面，例如：天岳先進擬投資20億元用于募投項目SiC半導體材料項目，達產后將新增產能約30萬片/年；露笑科技2022年7月完成25.67億元增發(fā)用于推進SiC項目，項目完成后將形成年產24萬片6英寸導電型SiC襯底片的產能。
器件方面，例如：士蘭微正在推進定增事項，其中7.5億元用于SiC功率器件生產線建設項目，達產后將新增年產14.4萬片SiC MOSFET/SBD芯片的產能；振華科技也正在推進定增事項，其中包括建設一條12萬片/年產能的6英寸Si/SiC基功率器件制造線。（集邦化合物半導體Zac整理）
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