昨日（10月31日），總投資300億元的重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園在璧山國家高新區(qū)正式開工建設(shè)。
據(jù)了解，今年6月中旬，康佳集團發(fā)布公告宣布與重慶市璧山區(qū)人民政府簽署了《合作框架協(xié)議》和《工業(yè)項目投資合同》 。
合作協(xié)議約定康佳集團擬在重慶市璧山區(qū)建設(shè)重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園，力爭重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園項目在璧山區(qū)總投資達到300億元，其中一期投資75億元。
8月26日，康佳集團與重慶市璧山高新區(qū)在2019智博會重大項目現(xiàn)場集中簽約儀式上正式簽約，宣布將投資300億元建設(shè)康佳集團重慶半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園。
據(jù)悉，該產(chǎn)業(yè)園項目瞄準(zhǔn)Micro LED等新型顯示技術(shù)。項目計劃分三期建設(shè)：其中，一期將建設(shè)新一代移動顯示設(shè)備、無屏顯示光機、智能控制系統(tǒng)解決方案、Micro LED項目；二期建設(shè)光電產(chǎn)業(yè)研究院、Micro LED下一代顯示技術(shù)項目；三期建設(shè)Micro LED顯示屏及終端產(chǎn)品、投影電視及配件、相關(guān)家電產(chǎn)品等項目。
昨日，重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園正式動工。據(jù)康佳集團總裁周彬介紹，該產(chǎn)業(yè)園項目占地266.8畝，總建筑面積約21.35萬平方米，一期將建立光電研究院及試產(chǎn)線，二期將建立光電產(chǎn)業(yè)基地，預(yù)計項目滿產(chǎn)后將形成一個超過千億元規(guī)模及全球領(lǐng)先的光電技術(shù)中心。
同時，重慶康佳光電技術(shù)研究院在璧山CBD揭牌成立。雙方將以重慶康佳光電技術(shù)研究院為核心，帶動上游原材料、零部件、設(shè)備制造、新一代顯示及消費應(yīng)用產(chǎn)品等相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，打造完整生態(tài)鏈。
值得注意的是，9月17日，康佳集團宣布擬出資15億元與重慶兩山產(chǎn)業(yè)投資有限公司合資成立重慶康佳半導(dǎo)體光電研究院，注冊資本為20 億元。同時，以該研究院為主體投資不超過25.50億元采購Micro LED相關(guān)的機器設(shè)備，開展Micro LED相關(guān)的產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
另外，“未來之境”康佳APHAEA未來屏全球發(fā)布會也于昨日在重慶悅來國際會議中心召開，康佳APHAEA未來屏系列產(chǎn)品正式發(fā)布并首次亮相。
發(fā)布會上，康佳推出Micro LED電視Smart Wall，Smart Wall使用超過一億顆Micro LED芯片，可實現(xiàn)2000 nits的超高亮度，10,000,000：1的超高對比度以及147%的超廣色域。
這一系列大動作表明了康佳正在大力投入5G、半導(dǎo)體、物聯(lián)網(wǎng)、新一代顯示技術(shù)等自主創(chuàng)新領(lǐng)域。
隨著超高清視頻產(chǎn)業(yè)時代、智能物聯(lián)網(wǎng)時代及5G通訊時代等的來臨，Micro LED等新型顯示技術(shù)成為眾多廠商追求的目標(biāo)，近年來加入布局的玩家有增無減，共同推動Micro LED技術(shù)的發(fā)展。雖然實現(xiàn)Micro LED的商業(yè)化仍需克服許多技術(shù)和成本挑戰(zhàn)，但從相關(guān)領(lǐng)先廠商的開發(fā)進展來看，Micro LED大規(guī)模量產(chǎn)的時間并不遠。
LEDinside最新研究報告《2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報告》顯示，Micro LED技術(shù)雖面臨眾多的挑戰(zhàn)，但對比兩年前，目前的技術(shù)進展已經(jīng)進步許多，早期的專利技術(shù)已經(jīng)有實體樣品展示機的出現(xiàn)，未來Micro LED商品化的時程將隨著Micro LED技術(shù)的成熟而加快。
在昨日的發(fā)布會上，康佳就邀請了2014年諾貝爾物理學(xué)獎得主中村修二先生來發(fā)表對于Micro LED 顯示器前景的看法以及目前該實驗室的技術(shù)進展。
中村先生表示，要實現(xiàn)全彩化的Micro LED顯示器，需要紅，藍，綠三色LED的搭配，但是紅光LED屬于AllGaP材料，有別于藍綠光的InGaN材料，生產(chǎn)難度與效率都偏低。同時，電流驅(qū)動不同的材料上也有很多挑戰(zhàn)。因此，在InGaN材料上生長紅光LED方面，該研究團隊正在進行研發(fā)，并取得了初步成果。
此外，Micro LED的各種特性指標(biāo)都遠勝OLED，然而急需克服的就是成本的挑戰(zhàn)。而為了降低成本，在微縮LED芯片尺寸的過程中，也會導(dǎo)致LED效率的同步下降。目前該研究團隊已經(jīng)開發(fā)出10μm芯片大小，EOE效率達到42%的全球領(lǐng)先指標(biāo)。
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