9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段，標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設完成，同時也標志著中國半導體創(chuàng)新史步入一個新紀元。
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該項目建成后將成為全球最大的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，滿產(chǎn)后將實現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，產(chǎn)品將為5G移動通信、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、無人駕駛、手機快充等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展提供核心電子元器件。
英諾賽科蘇州第三代半導體基地位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，總占地24.5萬平方米，屬于江蘇省重點項目，一期投資總額超60億元人民幣。項目預計今年年底進入試生產(chǎn)階段。
英諾賽科相關負責人表示，氮化鎵功率芯片量產(chǎn)線的通線投產(chǎn)，填補了我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白，同時也意味著制約我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的技術瓶頸得到突破。（來源：快科技）