碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
近日，浙大杭州科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院首爐碳化硅單晶成功“出爐”，這是研究院的半導(dǎo)體材料研究室在科創(chuàng)中心首席科學(xué)家楊德仁院士指導(dǎo)下取得的階段性成果，這標(biāo)志著經(jīng)過(guò)前期緊鑼密鼓的準(zhǔn)備，科創(chuàng)中心在寬禁帶半導(dǎo)體材料研究方面已經(jīng)正式進(jìn)入快車道。
碳化硅單晶是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、飽和漂移速度高、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高等諸多特點(diǎn)，是半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)公認(rèn)的“未來(lái)材料”，無(wú)論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場(chǎng)，都是世界各國(guó)爭(zhēng)奪的戰(zhàn)略陣地。
不僅半導(dǎo)體材料研究室已有了喜人成果，功率芯片研究室也在積極開(kāi)展新型碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件的研發(fā)工作；同時(shí)，針對(duì)碳化硅器件封裝與應(yīng)用的研究工作也正在逐步開(kāi)展。
目前，先進(jìn)半導(dǎo)體研究院正著力于布局寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，力爭(zhēng)取得重大突破。（來(lái)源：浙大杭州科創(chuàng)中心）
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