三安光電子公司三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。
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三安集成方面介紹，本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段。
與傳統(tǒng)的硅基IGBT功率器件相比，寬禁帶碳化硅材料擁有更高的耐壓和耐熱、更快的開(kāi)關(guān)頻率和更低的開(kāi)關(guān)損耗的特性。在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件損耗小，極大減小了器件的散熱需求，使系統(tǒng)朝著小型化，輕量化，集成化的方向發(fā)展。
此外，三安集成的碳化硅MOSFET通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和布局，大大增強(qiáng)碳化硅體二極管的通流能力，不需要額外并聯(lián)二極管，降低系統(tǒng)成本和減小系統(tǒng)體積。三安集成通過(guò)反復(fù)試驗(yàn)和優(yōu)化柵氧條件，閾值電壓的穩(wěn)定性得到明顯提高，1000hr的閾值漂移在0.2V以內(nèi)。
據(jù)悉，三安集成碳化硅肖特基二極管于2018年上市后，已完成了從650V到1700V的產(chǎn)品線布局，并累計(jì)出貨達(dá)百余萬(wàn)顆。從碳化硅肖特基二極管到MOSFET，三安集成在3年時(shí)間內(nèi)便完成了碳化硅器件產(chǎn)品線布局。
值得關(guān)注的是，目前行業(yè)內(nèi)碳化硅MOSFET不斷傳出缺貨的聲音，三安集成加速碳化硅器件產(chǎn)能擴(kuò)張。今年7月計(jì)劃總投資160億元在長(zhǎng)沙高新區(qū)開(kāi)工建設(shè)占地1000畝的湖南三安碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)，目前項(xiàng)目一期工程建筑主體已拔地而起，計(jì)劃將于2021年6月開(kāi)始試產(chǎn)。（LEDinside整理）
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