2023年底至2024年初，當人們歡天喜地迎新春之際，SiC產(chǎn)業(yè)同樣一片火熱，擴產(chǎn)、合作、融資、技術(shù)突破、新品發(fā)布等各種好戲輪番上演，共促SiC全產(chǎn)業(yè)鏈蓬勃發(fā)展。
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SiC項目進展
1月18日，浙江博藍特半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱博藍特）在實地考察中，與江蘇鎮(zhèn)江丹陽市延陵鎮(zhèn)就博藍特第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）襯底項目落地延陵鎮(zhèn)進行了深度洽談，博藍特計劃在延陵鎮(zhèn)投資10億元建設(shè)年產(chǎn)25萬片的6-8英寸碳化硅襯底項目。
一個投資10億元、年產(chǎn)數(shù)十萬片SiC襯底的大項目將落地延陵鎮(zhèn)，將為當?shù)亟?jīng)濟發(fā)展注入新的活力，也將為國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。
目前業(yè)內(nèi)普遍認為，SiC襯底處于供不應(yīng)求狀態(tài)，年產(chǎn)數(shù)十萬片SiC襯底產(chǎn)能將在一定程度上緩解相關(guān)產(chǎn)品供需緊張狀態(tài)。也正是因為SiC襯底、芯片等產(chǎn)能不足，吸引了大批廠商前赴后繼加入擴產(chǎn)行列。
僅從2023年12月初到2024年1月中旬的一個多月時間，就有十多個SiC相關(guān)項目迎來新進展，或簽約落地、或中期驗收、或竣工投產(chǎn)，各大廠商忙的不亦樂乎，這些項目當中，不乏投資超過10億甚至數(shù)十億的大手筆。
其中，大江半導(dǎo)體新建SiC項目近日在浙江省發(fā)改委官網(wǎng)公示，總投資達38億元，項目建成后，具有年產(chǎn)SiC功率模塊240萬個的產(chǎn)能。較高的投資額和較大的產(chǎn)能，使得該項目在業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。
此外，投資額同為15億元，吉盛微武漢SiC制造基地于12月8日啟用，漢軒車規(guī)級功率器件制造項目在12月18日開工，前者將致力于推進關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化，后者則將推動車規(guī)級功率器件國產(chǎn)化進程。
值得一提的是，12月28日，天科合達SiC晶片二期擴產(chǎn)項目全面封頂。該項目總投資8.3億元，預(yù)計2024年6月竣工，全部達產(chǎn)后年產(chǎn)SiC襯底16萬片。
2023年5月，天科合達已與英飛凌簽訂了一份長期供貨協(xié)議，天科合達將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸SiC襯底，其供應(yīng)量將占英飛凌未來長期預(yù)測需求的兩位數(shù)份額。英飛凌位于馬來西亞的SiC工廠計劃于2024年投產(chǎn)，屆時，天科合達已竣工的SiC二期擴產(chǎn)項目將在一定程度上保障英飛凌工廠的SiC襯底供應(yīng)。
SiC新品動態(tài)
擴產(chǎn)是為了滿足SiC產(chǎn)業(yè)未來市場需求所進行的前瞻性布局，需要時間去產(chǎn)出碩果，在投資擴產(chǎn)的同時，各類SiC新品層出不窮。
其中，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝SiC MOSFET器件、南瑞半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）都已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。通過該認證，芯塔電子和南瑞半導(dǎo)體躋身國內(nèi)少數(shù)SiC功率器件產(chǎn)品取得車規(guī)級認證的廠商之列，也意味著相關(guān)產(chǎn)品的市場競爭力再上一個臺階。
值得一提的是，日本晶圓設(shè)備制造商DISCO于2023年12月推出新型SiC切割設(shè)備DDS2020，支持切割8英寸SiC材料，可將SiC晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。該晶圓切割設(shè)備采用了新的斷裂機制，在低負荷下實現(xiàn)了對SiC材料的切割。
SiC技術(shù)突破
技術(shù)和產(chǎn)品相生相伴，產(chǎn)品研發(fā)的進程，也是技術(shù)突破的過程。
12月12日，創(chuàng)銳光譜官宣在SiC襯底晶圓位錯缺陷的無損光學(xué)檢測技術(shù)方面取得突破性進展，并將同步推出SiC襯底晶圓位錯無損檢測專用設(shè)備。據(jù)悉，該技術(shù)基于瞬態(tài)激發(fā)和散射光譜原理，采用大面積光學(xué)成像，實現(xiàn)了SiC襯底晶圓位錯缺陷的高速、精準、非接觸式的無損光學(xué)檢測。結(jié)合AI識別，可對襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實現(xiàn)精準的識別和分類。
通用智能則在12月16日將自主研發(fā)的8英寸SiC晶錠剝離產(chǎn)線正式交付客戶。通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過程，成功實現(xiàn)8英寸SiC晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
據(jù)悉，激光隱形切割是一種先用激光能量切割晶圓的內(nèi)部，再向貼附在背面的膠帶施加外部壓力，使其斷裂，從而分離芯片的方法。當向背面的膠帶施加壓力時，由于膠帶的拉伸，晶圓將會瞬間向上隆起，從而使芯片分離。相對傳統(tǒng)的激光切割法，SD的優(yōu)點包括：沒有硅碎屑；切口窄，可以獲得更多芯片；此外，使用SD方法剝落和裂紋現(xiàn)象也將減少，提高了晶圓切割整體質(zhì)量。
SiC融資風(fēng)云
無論是開發(fā)出契合市場與用戶需求的好產(chǎn)品，還是取得重大技術(shù)突破，都有機會成為資本市場的寵兒。近期，優(yōu)質(zhì)廠商的融資也是持續(xù)不斷。
眾多廠商當中，德智新材、超芯星、清純半導(dǎo)體均在12月完成了數(shù)億元融資，成為融資能力方面的佼佼者。
其中，超芯星是一家成立于2019年4月的初創(chuàng)企業(yè)，但已成長為國內(nèi)極少數(shù)具備國際競爭力的SiC襯底供應(yīng)商，擁有多種技術(shù)路線，在核心裝備、智能制造、生長工藝、加工技術(shù)、產(chǎn)品檢測、模擬仿真等方向擁有先進的核心技術(shù)。得益于此，超芯星成立至今已完成5輪融資。
而成立于2021年3月的清純半導(dǎo)體已完成4輪融資，是目前國內(nèi)極少數(shù)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、基于國內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET的企業(yè)。
SiC合作共贏
強強聯(lián)合使雙方具備更多優(yōu)勢，各大SiC廠商正在從技術(shù)、產(chǎn)品、市場等多方面尋求合作共贏。
其中，羅姆和東芝、IME和centrotherm、世紀金芯和湖南S公司、芯塔電子和中科海奧等更多是在技術(shù)方面展開合作，Luminus和湖南三安將合力開拓市場，理想汽車則致力于擴大供貨渠道。
值得一提的是，理想汽車已和安森美、意法半導(dǎo)體兩大國際巨頭分別簽署了SiC長期供貨協(xié)議。理想汽車目前在國內(nèi)新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展勢頭良好，正在積極將SiC功率器件引入旗下車型中，需求日益增長，提前鎖定國際巨頭SiC器件產(chǎn)能是明智之舉。與理想汽車合作，也有利于國際廠商在國內(nèi)SiC市場深度滲透。
總結(jié)
在新能源汽車、光儲充、5G通信、軌道交通等領(lǐng)域廣闊的應(yīng)用前景為SiC產(chǎn)業(yè)帶來了巨大發(fā)展空間，SiC由此成為全球最熱門的投資領(lǐng)域之一，SiC產(chǎn)業(yè)有望在未來一段時間繼續(xù)保持較快增長態(tài)勢。
SiC產(chǎn)業(yè)持續(xù)升溫將引來更多入局者，老玩家們也將持續(xù)加碼，火熱、高潮迭起將成為常態(tài)，市場競爭也將日趨激烈。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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