近日，賽達半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱賽達半導(dǎo)體）碳化硅（SiC）外延項目環(huán)評消息公示。
公告顯示，該項目總投資約14.7億元，占地面積11979m2，總建筑面積7887m2，將租賃長城汽車徐水分公司原有廠房和空地（華訊廠房），形成公司生產(chǎn)和研發(fā)廠房。項目擬購置外延設(shè)備、測試設(shè)備、清洗設(shè)備等主要生產(chǎn)、研發(fā)和附屬設(shè)備，先期產(chǎn)能1.5萬片/年，2027年規(guī)劃產(chǎn)能為30萬片/年。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
天眼查資料顯示，賽達半導(dǎo)體成立于2023年10月，由穩(wěn)晟科技（天津）有限公司全資持股，后者控股股東、實控人為長城汽車董事長魏建軍。
早在2023年5月，長城控股招標中心便發(fā)文稱已啟動“精工自動化SiC外延廠房改造設(shè)計項目”；2023年9月，該項目落戶河北省保定市徐水經(jīng)開區(qū)，簽約方為穩(wěn)晟科技（天津）有限公司，主建方則為賽達半導(dǎo)體。
長城汽車切入SiC產(chǎn)業(yè)鏈
賽達半導(dǎo)體SiC外延項目，是長城汽車進軍SiC產(chǎn)業(yè)的又一個大動作。近年來，長城汽車正在從多個方面積極布局SiC領(lǐng)域。
2021年底，長城汽車領(lǐng)投了同光股份數(shù)億人民幣E輪融資，后者成立于2012年5月，專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體材料SiC襯底的研發(fā)和生產(chǎn)，主要產(chǎn)品包括導(dǎo)電型、半絕緣型SiC襯底，是國內(nèi)主要的SiC襯底廠商之一。
襯底是SiC產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)之一，戰(zhàn)略投資同光股份，在一定程度上有助于長城汽車鎖定部分SiC襯底產(chǎn)能，為后續(xù)SiC功率器件上車打好產(chǎn)能基礎(chǔ)。
隨后在2022年11月，長城汽車親自下場，出資設(shè)立無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱芯動半導(dǎo)體）。
成立一年多以來，芯動半導(dǎo)體進展較快。2023年11月14日，芯動半導(dǎo)體自主研發(fā)的GFM平臺750V/820A IGBT功率模塊順利裝車，首次實現(xiàn)在新能源汽車主驅(qū)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。
值得注意的是，其同步開發(fā)的800V高壓模塊產(chǎn)品，采用全新封裝形式，結(jié)合SiC技術(shù)應(yīng)用，支持整車高壓化平臺需求。后續(xù)其800V 高壓SiC模塊產(chǎn)品完成開發(fā)后，或?qū)﹂L城旗下電動汽車性能帶來提升，有利于提高品牌競爭力。
此外，2023年12月1日，芯動半導(dǎo)體與博世汽車電子就SiC業(yè)務(wù)在上海簽署了長期訂單合作協(xié)議。
據(jù)悉，芯動半導(dǎo)體目前已完成GFM平臺750V IGBT、1200V SiC以及SFM平臺1200V SiC功率模塊產(chǎn)品開發(fā)與驗證，未來有望導(dǎo)入長城汽車旗下新能源車型。
隨著賽達半導(dǎo)體SiC外延項目未來建成達產(chǎn)，長城汽車在SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的滲透將進一步深化。
SiC新項目密集簽約
近期，除賽達半導(dǎo)體SiC項目外，還有多個SiC相關(guān)項目簽約落地，SiC產(chǎn)業(yè)再掀起一波投資擴產(chǎn)小高潮。
其中，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目于2月1日簽約。該項目由晶能微電子與星驅(qū)技術(shù)團隊共同出資設(shè)立，重點布局車規(guī)SiC半橋模塊。項目總投資約10億元，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)90萬套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線及相關(guān)配套。
作為吉利孵化的功率半導(dǎo)體公司，晶能微電子近期在半橋模塊領(lǐng)域不斷傳出利好消息。2023年9月初，晶能微電子首款SiC半橋模塊試制成功。2023年12月底，晶能微電子秀洲生產(chǎn)基地開工建設(shè)，一期項目包括投建一座6英寸FRD晶圓廠和60萬套半橋模塊生產(chǎn)線。此次SiC半橋模塊制造項目簽約，有助于晶能微電子更好地拓展車規(guī)級SiC功率器件市場。
隨后，揚杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項目完成簽約。該項目總投資5億元，主要從事車規(guī)級IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，揚杰科技已有多年的技術(shù)、產(chǎn)品及產(chǎn)能儲備。早在2015年，揚杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目。
目前，揚杰科技1200V 80mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品已獲得客戶認可，并實現(xiàn)量產(chǎn)。SiC模塊封裝項目落地實施，有助于公司加速SiC功率器件上車進程。
2月21日，新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園項目簽約，總投資20億元，主要建設(shè)年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體用細顆粒等靜壓石墨和1000噸半導(dǎo)體用多孔石墨生產(chǎn)基地。
據(jù)悉，近年來，新華錦集團與中國科學(xué)院山西煤化所合作建設(shè)了高性能等靜壓石墨和特種多孔石墨項目，生產(chǎn)的產(chǎn)品是第三代半導(dǎo)體SiC長晶用的核心基礎(chǔ)石墨材料，經(jīng)過國家石墨產(chǎn)品質(zhì)量檢驗中心權(quán)威部門認證，在技術(shù)水平和產(chǎn)品性能上超越了進口產(chǎn)品。
除上述項目外，2023年11月，新華錦集團旗下華錦新材正式點火投產(chǎn)，主要生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體芯片用特種石墨材料，為國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展掃清基礎(chǔ)原材料障礙。
此外，普興電子“6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目”近日進行了第一次環(huán)境影響評價信息公示，本項目總投資3.5億元，購置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。
近年來，電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導(dǎo)體外延材料的研發(fā)生產(chǎn)，隨著本次SiC外延片項目落地實施，普興電子6英寸SiC外延片產(chǎn)能將得到較大提升。
小結(jié)
近期的SiC投資擴產(chǎn)動作延續(xù)了近年來的熱度，并有愈演愈烈之勢，預(yù)示著SiC產(chǎn)業(yè)日益蓬勃發(fā)展的大趨勢，未來大概率吸引更多廠商不斷加碼。隨著眾多國內(nèi)廠商持續(xù)深化布局，有望進一步完善國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)鏈。
整體來看，近期的SiC產(chǎn)業(yè)新增項目遍及設(shè)備、材料、器件等各個環(huán)節(jié)，上下游企業(yè)正共同推動SiC產(chǎn)業(yè)鏈走向更加光明的未來。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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