近日，賽達半導體科技有限公司（以下簡稱賽達半導體）碳化硅（SiC）外延項目環(huán)評消息公示。
公告顯示，該項目總投資約14.7億元，占地面積11979m2，總建筑面積7887m2，將租賃長城汽車徐水分公司原有廠房和空地（華訊廠房），形成公司生產和研發(fā)廠房。項目擬購置外延設備、測試設備、清洗設備等主要生產、研發(fā)和附屬設備，先期產能1.5萬片/年，2027年規(guī)劃產能為30萬片/年。
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天眼查資料顯示，賽達半導體成立于2023年10月，由穩(wěn)晟科技（天津）有限公司全資持股，后者控股股東、實控人為長城汽車董事長魏建軍。
早在2023年5月，長城控股招標中心便發(fā)文稱已啟動“精工自動化SiC外延廠房改造設計項目”；2023年9月，該項目落戶河北省保定市徐水經開區(qū)，簽約方為穩(wěn)晟科技（天津）有限公司，主建方則為賽達半導體。
長城汽車切入SiC產業(yè)鏈
賽達半導體SiC外延項目，是長城汽車進軍SiC產業(yè)的又一個大動作。近年來，長城汽車正在從多個方面積極布局SiC領域。
2021年底，長城汽車領投了同光股份數(shù)億人民幣E輪融資，后者成立于2012年5月，專業(yè)從事第三代半導體材料SiC襯底的研發(fā)和生產，主要產品包括導電型、半絕緣型SiC襯底，是國內主要的SiC襯底廠商之一。
襯底是SiC產業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)之一，戰(zhàn)略投資同光股份，在一定程度上有助于長城汽車鎖定部分SiC襯底產能，為后續(xù)SiC功率器件上車打好產能基礎。
隨后在2022年11月，長城汽車親自下場，出資設立無錫芯動半導體科技有限公司（以下簡稱芯動半導體）。
成立一年多以來，芯動半導體進展較快。2023年11月14日，芯動半導體自主研發(fā)的GFM平臺750V/820A IGBT功率模塊順利裝車，首次實現(xiàn)在新能源汽車主驅控制器中的規(guī)?；瘧?。
值得注意的是，其同步開發(fā)的800V高壓模塊產品，采用全新封裝形式，結合SiC技術應用，支持整車高壓化平臺需求。后續(xù)其800V 高壓SiC模塊產品完成開發(fā)后，或將對長城旗下電動汽車性能帶來提升，有利于提高品牌競爭力。
此外，2023年12月1日，芯動半導體與博世汽車電子就SiC業(yè)務在上海簽署了長期訂單合作協(xié)議。
據(jù)悉，芯動半導體目前已完成GFM平臺750V IGBT、1200V SiC以及SFM平臺1200V SiC功率模塊產品開發(fā)與驗證，未來有望導入長城汽車旗下新能源車型。
隨著賽達半導體SiC外延項目未來建成達產，長城汽車在SiC全產業(yè)鏈的滲透將進一步深化。
SiC新項目密集簽約
近期，除賽達半導體SiC項目外，還有多個SiC相關項目簽約落地，SiC產業(yè)再掀起一波投資擴產小高潮。
其中，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目于2月1日簽約。該項目由晶能微電子與星驅技術團隊共同出資設立，重點布局車規(guī)SiC半橋模塊。項目總投資約10億元，規(guī)劃建設年產90萬套SiC半橋模塊制造生產線及相關配套。
作為吉利孵化的功率半導體公司，晶能微電子近期在半橋模塊領域不斷傳出利好消息。2023年9月初，晶能微電子首款SiC半橋模塊試制成功。2023年12月底，晶能微電子秀洲生產基地開工建設，一期項目包括投建一座6英寸FRD晶圓廠和60萬套半橋模塊生產線。此次SiC半橋模塊制造項目簽約，有助于晶能微電子更好地拓展車規(guī)級SiC功率器件市場。
隨后，揚杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項目完成簽約。該項目總投資5億元，主要從事車規(guī)級IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。
在第三代半導體領域，揚杰科技已有多年的技術、產品及產能儲備。早在2015年，揚杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產業(yè)化建設項目。
目前，揚杰科技1200V 80mΩ SiC MOSFET系列產品已獲得客戶認可，并實現(xiàn)量產。SiC模塊封裝項目落地實施，有助于公司加速SiC功率器件上車進程。
2月21日，新華錦第三代半導體碳材料產業(yè)園項目簽約，總投資20億元，主要建設年產5000噸半導體用細顆粒等靜壓石墨和1000噸半導體用多孔石墨生產基地。
據(jù)悉，近年來，新華錦集團與中國科學院山西煤化所合作建設了高性能等靜壓石墨和特種多孔石墨項目，生產的產品是第三代半導體SiC長晶用的核心基礎石墨材料，經過國家石墨產品質量檢驗中心權威部門認證，在技術水平和產品性能上超越了進口產品。
除上述項目外，2023年11月，新華錦集團旗下華錦新材正式點火投產，主要生產第三代半導體芯片用特種石墨材料，為國內SiC產業(yè)發(fā)展掃清基礎原材料障礙。
此外，普興電子“6英寸低密度缺陷SiC外延片產業(yè)化項目”近日進行了第一次環(huán)境影響評價信息公示，本項目總投資3.5億元，購置SiC外延設備及配套設備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產線。項目建成后，將實現(xiàn)年產24萬片SiC外延片的生產能力。
近年來，電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導體外延材料的研發(fā)生產，隨著本次SiC外延片項目落地實施，普興電子6英寸SiC外延片產能將得到較大提升。
小結
近期的SiC投資擴產動作延續(xù)了近年來的熱度，并有愈演愈烈之勢，預示著SiC產業(yè)日益蓬勃發(fā)展的大趨勢，未來大概率吸引更多廠商不斷加碼。隨著眾多國內廠商持續(xù)深化布局，有望進一步完善國產SiC產業(yè)鏈。
整體來看，近期的SiC產業(yè)新增項目遍及設備、材料、器件等各個環(huán)節(jié)，上下游企業(yè)正共同推動SiC產業(yè)鏈走向更加光明的未來。（文：集邦化合物半導體Zac）
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