第三代半導(dǎo)體賽道融資熱度持續(xù)高漲，近日又有3家相關(guān)廠商分別完成新一輪融資。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
碳化硅設(shè)備廠晶馳機(jī)電完成數(shù)千萬(wàn)首輪融資
10月7日，據(jù)杭州晶馳機(jī)電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶馳機(jī)電）官微披露，晶馳機(jī)電近日完成數(shù)千萬(wàn)首輪融資，由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣政府產(chǎn)業(yè)投資基金）領(lǐng)投。
晶馳機(jī)電表示，本次融資將有助于推動(dòng)其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)和市場(chǎng)推廣，提升其在國(guó)內(nèi)第三代、第四代半導(dǎo)體裝備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，加速推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
官微資料顯示，晶馳機(jī)電成立于2021年7月，其總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，專注于碳化硅、金剛石、氮化鋁等第三、四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。
目前，晶馳機(jī)電主要產(chǎn)品有六英寸和八英寸碳化硅外延設(shè)備（LPCVD法）、金剛石單晶生長(zhǎng)及外延設(shè)備（MPCVD法）、氮化鋁晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法）、碳化硅粉料合成設(shè)備、碳化硅晶錠及晶片退火設(shè)備和碳化硅晶片氧化設(shè)備。其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備方面產(chǎn)品線豐富，具備提供整套材料制造解決方案的能力。
晶馳機(jī)電已分別與浙江大學(xué)、杭州電子科技大學(xué)共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，擁有一支由中國(guó)科學(xué)院院士及多名教授專家領(lǐng)銜的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，擁有15項(xiàng)已授權(quán)及在申請(qǐng)專利，預(yù)計(jì)每年新增10余項(xiàng)技術(shù)專利。
產(chǎn)線建設(shè)方面，晶馳機(jī)電在今年7月11日與河北正定縣舉行半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約儀式。簽約儀式上，正定縣人民政府、正定國(guó)控集團(tuán)分別與晶馳機(jī)電簽署招商入駐協(xié)議和投資合作協(xié)議。
市場(chǎng)拓展方面，晶馳機(jī)電在5月末中標(biāo)了清華柔性電子技術(shù)研究院?jiǎn)尉PCVD設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目。
碳化硅材料廠云嶺半導(dǎo)體完成天使輪融資
企查查資料顯示，9月26日，無(wú)錫云嶺半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：云嶺半導(dǎo)體）完成天使輪融資，投資方為無(wú)錫創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)天使投資引導(dǎo)基金（有限合伙）。
公開資料顯示，云嶺半導(dǎo)體成立于2023年5月，是一家主要做碳化硅晶圓片原材料的公司，經(jīng)營(yíng)范圍含新材料技術(shù)研發(fā)、電子元器件零售、電子專用設(shè)備制造、電子專用設(shè)備銷售、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造等。
據(jù)悉，今年2月，云嶺半導(dǎo)體拿到了無(wú)錫的環(huán)評(píng)審批文件，將在無(wú)錫投資2億元，建設(shè)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶圓片用CMP研磨液為α態(tài)納米氧化鋁顆粒的生產(chǎn)線。
該項(xiàng)目是云嶺半導(dǎo)體的二廠，其一廠可生產(chǎn)研磨液600噸，碳化硅襯底材料6000片，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體精密加工所需材料以及CMP拋光液的空白。
氮化鎵芯片廠氮矽科技獲得千萬(wàn)級(jí)戰(zhàn)略投資
近日，氮矽科技完成千萬(wàn)級(jí)人民幣戰(zhàn)略融資，本次投資方為諾輝投資和上海矽米企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），融資資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)品銷售等方面。
自2019年4月成立以來，氮矽科技專注于氮化鎵產(chǎn)品的研發(fā)與銷售，致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新與應(yīng)用。
近年來，隨著全球?qū)Ω咝А⒐?jié)能、環(huán)保技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其超低導(dǎo)通電阻、超高頻、無(wú)反向?qū)〒p耗等優(yōu)異性能，在快充、5G基站電源、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出較大的應(yīng)用潛力。
氮矽科技先后推出了“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power Integrated in Package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，產(chǎn)品覆蓋多種封裝形式，電壓范圍涵蓋40V-650V，能夠滿足不同領(lǐng)域客戶的多樣化需求。
目前，氮矽科技致力于研發(fā)分離式氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片及增強(qiáng)型氮化鎵晶體管，其驅(qū)動(dòng)及晶體管產(chǎn)品已完成流片、封裝及應(yīng)用搭建，正在進(jìn)行客戶導(dǎo)入。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。