1月8日，據(jù)晶馳機電官微消息，晶馳機電開發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長晶爐近日通過客戶驗證，并正式開啟了小批量交付。
source：晶馳機電
據(jù)介紹，該設(shè)備采用獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計，結(jié)合過程控制理論和自動化控制方法，實現(xiàn)了長晶過程中工藝參數(shù)的精準控制和設(shè)備運行的高度智能化。通過創(chuàng)新的熱場設(shè)計，實現(xiàn)均勻的徑向溫度和寬范圍精準可調(diào)的軸向溫度梯度。熱場穩(wěn)定性高，使用壽命長，大幅提升了晶體的質(zhì)量和良品率。
據(jù)悉，目前主流碳化硅長晶爐主要包括物理氣相輸運（PVT）法和電阻加熱法兩種技術(shù)。
其中，PVT法是目前碳化硅單晶生長的主流技術(shù)，已經(jīng)實現(xiàn)了商業(yè)化應用。其工作原理是將碳化硅粉末在高溫下升華為氣態(tài)組分，這些氣態(tài)組分在溫度梯度的作用下輸運至籽晶處重新結(jié)晶，形成單晶結(jié)構(gòu)。PVT法的優(yōu)勢在于能夠制備高純度、大尺寸的晶體。
而電阻加熱法是一種新興的碳化硅長晶技術(shù)，其加熱方式主要通過電阻或感應加熱。這種方法的優(yōu)勢在于能夠更好地控制溫度梯度，減少晶體缺陷，適合生長厚尺寸、高質(zhì)量的晶體。電阻加熱長晶爐通常具有結(jié)構(gòu)緊湊、可兼容多種加熱方式、控溫精度高等特點，能夠滿足6-8英寸碳化硅單晶的生長需求。
碳化硅長晶爐是襯底生長的核心工藝設(shè)備，對行業(yè)的發(fā)展起到?jīng)Q定性作用，已吸引眾多國內(nèi)碳化硅設(shè)備廠商涉足。
其中，連科半導體在5月發(fā)布的8英寸碳化硅長晶爐，具有結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊、長晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保等特點；6月，優(yōu)晶科技8英寸電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認可，成功通過技術(shù)鑒定評審；晶升股份第一批8英寸碳化硅長晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付；而在近日，松瓷機電碳化硅單晶爐成功制備出8英寸碳化硅單晶晶體。（集邦化合物半導體Zac整理）
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