法國研究機構(gòu)Leti開發(fā)Micro LED顯示屏新工藝,基于CMOS

作者 | 發(fā)布日期 2019 年 05 月 20 日 13:58 | 分類 Micro LED

據(jù)報道,法國研究機構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法,這項新工藝更簡單且更高效。

新工藝的第一步是將Micro LED芯片直接轉(zhuǎn)移到CMOS晶圓上。第二步是把由CMOS驅(qū)動電路和Micro LED芯片組成的每個完整像素點轉(zhuǎn)移到顯示基板上。

研究員指出,CMOS驅(qū)動器具備高性能,可以制造更多種類的Micro LED顯示屏,從小尺寸可穿戴顯示器到大尺寸電視面板都能實現(xiàn)。

據(jù)稱,單個LED-CMOS單元是通過全半導(dǎo)體和晶圓級方法制造的,最終制成的顯示器不需要使用TFT(薄膜晶體管),這也是新工藝技術(shù)的另一個優(yōu)點。

目前,如何提高驅(qū)動電子的性能是制造Micro LED的一個挑戰(zhàn),這需要更多功率來實現(xiàn)更加明亮的圖像,以及更快的速度來應(yīng)對不斷增長的高顯示分辨率需求。

CEA-Leti研發(fā)的新工藝能夠通過簡化的轉(zhuǎn)移工藝來制造基于CMOS的高性能氮化鎵Micro LED顯示器,無需TFT背板。RGB Micro LED直接堆疊在微CMOS電路上,然后每個單元被轉(zhuǎn)移至簡單的接收基板上。最后,在單個半導(dǎo)體線上完成RGB Micro LED和背板的制造。

CEA-Leti光學(xué)器件戰(zhàn)略營銷經(jīng)理Fran?ois Templier表示,這項基于CMOS的工藝能夠生產(chǎn)出更高亮度和更高分辨率的Micro LED顯示器,可改變大型電視制造領(lǐng)域的“游戲規(guī)則”。

據(jù)悉,5月14日,CEA-Leti在2019顯示周上展示了這項突破性技術(shù)。(編譯:LEDinside Janice)

更多LED相關(guān)資訊,請點擊LED網(wǎng)或關(guān)注微信公眾賬號(cnledw2013)。