據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)設(shè)備廠商Top Engineering開發(fā)了一套名為TNCEL-W的Micro LED檢測(cè)設(shè)備，采用新型的芯片測(cè)量和檢測(cè)技術(shù)，能夠改善Micro LED制程的生產(chǎn)良率。
據(jù)介紹，TNCEL-W可在Micro LED芯片轉(zhuǎn)移至基板之前篩選出有缺陷的芯片，在不直接接觸芯片的情況下，同時(shí)采用電氣測(cè)量和光學(xué)測(cè)量方法進(jìn)行芯片檢測(cè)，有望最大程度降低對(duì)Micro LED芯片的損害，從而減少M(fèi)icro LED像素點(diǎn)返修制程的成本和時(shí)間，助力解決Micro LED量產(chǎn)的難題。
Micro LED測(cè)試樣本
據(jù)悉，TNCEL-W是首款在無(wú)需直接接觸Micro LED芯片的條件下，同時(shí)應(yīng)用電氣測(cè)量和光學(xué)測(cè)量技術(shù)的檢測(cè)設(shè)備。相比現(xiàn)有的LED芯片檢測(cè)設(shè)備，TNCEL-W可在晶圓制程階段批量檢測(cè)小于50?的Micro LED芯片。同時(shí)，檢測(cè)速度也顯著得到提升。
Top Engineering透露，目前公司正在與韓國(guó)國(guó)內(nèi)和國(guó)外客戶開展設(shè)備性能測(cè)試，預(yù)計(jì)最早將于今年底向客戶供應(yīng)TNCEL-W檢測(cè)設(shè)備。
下一步，Top Engineering計(jì)劃提升設(shè)備的檢測(cè)性能。
Top Engineering表示，公司將采用人工智能技術(shù)，聚焦于分析芯片缺陷類型，減少制程時(shí)間。除了4英寸晶圓檢測(cè)之外，該公司計(jì)劃開發(fā)能夠檢測(cè)6英寸晶圓的設(shè)備，預(yù)計(jì)明年第三季實(shí)現(xiàn)該戰(zhàn)略目標(biāo)，以應(yīng)對(duì)Micro LED大規(guī)模量產(chǎn)的需求。
前端設(shè)備技術(shù)持續(xù)突破，Micro LED量產(chǎn)有望提速
眾所周知，Micro LED因具備高對(duì)比度、高亮度、長(zhǎng)壽命、優(yōu)異穩(wěn)定性、低功耗等優(yōu)點(diǎn)而成為顯示界的焦點(diǎn)。不過(guò)，Micro LED芯片穩(wěn)定從外延片上轉(zhuǎn)移至顯示背板的過(guò)程需要高水平技術(shù)才能夠完成。雖然部分廠商已將開始量產(chǎn)Micro LED產(chǎn)品，但實(shí)際上仍面臨低良率的問(wèn)題，而主要難題就在于芯片轉(zhuǎn)移和接合制程。
對(duì)于提升良率來(lái)說(shuō)，其中一個(gè)障礙就是出現(xiàn)有缺陷的芯片。如果沒有將缺陷芯片準(zhǔn)確挑選出來(lái)，并將其轉(zhuǎn)移至顯示背板上，那么就不可避免地會(huì)出現(xiàn)不合格的像素點(diǎn)，后續(xù)廠商在維修像素點(diǎn)上將花費(fèi)很多成本和時(shí)間，從而導(dǎo)致量產(chǎn)時(shí)間推遲。
可以看到，Top Engineering已針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，開發(fā)了相應(yīng)的解決方案。除了這家廠商之外，其實(shí)，近年來(lái)，全球范圍內(nèi)多數(shù)Micro LED相關(guān)廠商均針對(duì)Micro LED前端制程的測(cè)試和檢測(cè)等問(wèn)題，積極投入研發(fā)，以期提升Micro LED后端制程和整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程的效率和良率，從而降低成本，加快量產(chǎn)的進(jìn)程。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
其中，蘋果正在開發(fā)提高M(jìn)icro LED顯示屏品質(zhì)管控的方法，并于今年初獲得“Micro LED芯片檢測(cè)”專利。這項(xiàng)技術(shù)同樣是在Micro LED芯片轉(zhuǎn)移至顯示背板之前對(duì)芯片質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)，從而降低生產(chǎn)制程的損失和缺陷率，有助于提升顯示屏的可靠性和質(zhì)量。
此外，以色列檢測(cè)設(shè)備廠商InZiv在Micro LED測(cè)試和檢測(cè)等技術(shù)領(lǐng)域也擁有獨(dú)特的方法。目前，該公司已與多家Micro LED大廠開展合作。
據(jù)了解，InZiv技術(shù)以高分辨率提供全晶圓和局部單個(gè)像素檢測(cè)。其檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)合AOI、PL光致發(fā)光測(cè)試和EL電致發(fā)光測(cè)試，提供外量子效率和角度測(cè)量等關(guān)鍵測(cè)試，可對(duì)整個(gè)晶片及其子像素特征進(jìn)行綜合分析。基于這種獨(dú)特的組合，Micro LED開發(fā)人員能夠更好地了解光、顏色、電壓和結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系，有助于解決Micro LED的關(guān)鍵難題。
2020年，InZiv在接受LEDinside訪談時(shí)透露，InZiv已推出Micro LED的晶圓檢測(cè)方案，該方案可在25分鐘以內(nèi)通過(guò)PL方法完整檢驗(yàn)單片6英寸晶圓，期望今年能將檢測(cè)時(shí)間縮短至15分鐘以內(nèi)。同時(shí)，InZiv也在打造能夠檢測(cè)整個(gè)晶圓的EL方案。
除了上述提及的廠商，還有廠商已經(jīng)在Micro LED測(cè)試和檢測(cè)技術(shù)上取得進(jìn)步。由此可見，Micro LED生產(chǎn)的前端制程正在不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)的突破，為后端制程掃除障礙。隨著相關(guān)廠商的積極推廣，后續(xù)將有更多先進(jìn)的設(shè)備投入實(shí)際應(yīng)用，推動(dòng)Micro LED的量產(chǎn)化進(jìn)程。（文：LEDinside Janice）
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