據報道,法國研究機構Leti of CEA Tech研發(fā)出一個生產高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法,這項新工藝更簡單且更高效。
新工藝的第一步是將Micro LED芯片直接轉移到CMOS晶圓上。第二步是把由CMOS驅動電路和Micro LED芯片組成的每...  [詳內文]
法國研究機構Leti開發(fā)Micro LED顯示屏新工藝,基于CMOS |
作者
Wen, James
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發(fā)布日期:
2019 年 05 月 20 日 13:58
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關鍵字:
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