近日,九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸碳化硅(SiC)中試線全面通線,首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測(cè)試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)了低表面粗糙度、高激活率的高溫高能離子注入與激活工藝,實(shí)現(xiàn)了低溝槽表面粗糙度刻蝕,打通了高厚度一致性及均一性、低界面...  [詳內(nèi)文]
九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸SiC中試線全面通線 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 10 日 17:22 | 分類 功率 |