近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測(cè)試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)了低表面粗糙度、高激活率的高溫高能離子注入與激活工藝，實(shí)現(xiàn)了低溝槽表面粗糙度刻蝕，打通了高厚度一致性及均一性、低界面態(tài)密度溝槽柵氧介質(zhì)結(jié)構(gòu)及工藝，制定并實(shí)施了低阻n型和p型歐姆接觸的合金化技術(shù)方案，系統(tǒng)性地解決了一直困擾業(yè)界的溝槽型碳化硅MOSFET器件的多項(xiàng)工藝難題。
據(jù)悉，湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室于2021年成立，實(shí)驗(yàn)室聚焦化合物半導(dǎo)體，主要涉及以下工藝領(lǐng)域：SiC、GaN、InP、GaAs、化合物相關(guān)MEMS、特種先進(jìn)封裝和多材料集成。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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