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又一GaN研究院成立
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 29 日 17:39 | 分類 氮化鎵GaN
6月26日，由西安電子科技大學(xué)廣州研究院（簡(jiǎn)稱西電廣研院）與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（簡(jiǎn)稱ICCT）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)研究中心”，在廣東-新加坡合作理事會(huì)第十三次會(huì)議上成功簽約。 據(jù)悉，該研究中心圍繞第三代半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵功率芯片廠商元芯半導(dǎo)體獲融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 29 日 17:38 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)消息，杭州元芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“元芯半導(dǎo)體”）已經(jīng)于近日獲得數(shù)千萬(wàn)元天使+輪融資，由同創(chuàng)偉業(yè)領(lǐng)投，浙大校友基金會(huì)藕舫天使基金跟投。本次融資資金將主要用于核心產(chǎn)品研發(fā)和拓展產(chǎn)品線，以及技術(shù)和運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)建設(shè)。 元芯半導(dǎo)體成立于2022年，以第三代半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)為核心，致...  [詳內(nèi)文]

化合物半導(dǎo)體下一場(chǎng)黃金賽道鳴槍，國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅研發(fā)再突破
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 29 日 17:09 | 分類 碳化硅SiC
6月27日，晶盛機(jī)電宣布，已成功研發(fā)出8英寸碳化硅外延設(shè)備。 據(jù)晶盛機(jī)電介紹，目前，在子公司晶瑞的8英寸襯底基礎(chǔ)上，已實(shí)現(xiàn)8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試，外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi)。 Part 1 碳化硅廠商下一個(gè)“黃金賽道” 近年來(lái)，在新能...  [詳內(nèi)文]

GaN中高壓應(yīng)用蓄勢(shì)待發(fā)，外延結(jié)構(gòu)扮演重要角色
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:26 | 分類 氮化鎵GaN
GaN開始為人所知是在光電LED市場(chǎng)，廣為人知?jiǎng)t是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說(shuō)是新能源汽車市場(chǎng)，而非消費(fèi)電子市場(chǎng)。 “在新能源汽車領(lǐng)域，SiC發(fā)展得早，而GaN并不是發(fā)展得不早，只是一開始應(yīng)用在LED上，抑制了GaN的技術(shù)開發(fā)演進(jìn)...  [詳內(nèi)文]

三星，入局八英寸氮化鎵代工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN
在今日舉辦的代工論壇上，三星表示，將從 2025 年起，三星將開始針對(duì)消費(fèi)、數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用的 8 英寸氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。 隨著寬禁帶材料開始在功率電子領(lǐng)域取代硅，氮化鎵在消費(fèi)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟，這將在今后幾年里帶來(lái)這類材料在功率器件市場(chǎng)的大幅增長(zhǎng)，尤其是在中國(guó)...  [詳內(nèi)文]

英飛凌或在歐洲自行生產(chǎn)SiC晶體
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:12 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)電子時(shí)報(bào)消息，英飛凌目前正在美國(guó)擴(kuò)大碳化硅（SiC）器件的生產(chǎn)，該公司此前一直采購(gòu)其它公司制造的碳化硅晶圓。有消息人士稱，英飛凌很可能未來(lái)在歐洲自行生產(chǎn)碳化硅晶體，以求供應(yīng)穩(wěn)定。 近年來(lái)，英飛凌不斷擴(kuò)大在SiC、GaN上的布局。 SiC方面，今年1月，英飛凌官網(wǎng)宣布，他們?cè)僖淮?..  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)8英寸SiC設(shè)備獲重大突破
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:11 | 分類 碳化硅SiC
昨日，晶盛機(jī)電表示已于近日成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備。 圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電 8英寸碳化硅晶圓的邊緣損耗更小、可利用面積更大，未來(lái)通過(guò)產(chǎn)量和規(guī)模效益的提升，成本有望降低60%以上。為未來(lái)碳化硅材料大規(guī)模應(yīng)用提供低成本的先決條件。 晶盛機(jī)電稱，8英寸...  [詳內(nèi)文]

60億投向第三代半導(dǎo)體，長(zhǎng)飛先進(jìn)獲A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 27 日 17:50 | 分類 碳化硅SiC
昨日，長(zhǎng)飛光纖宣布，子公司安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)飛先進(jìn)”）擬投資人民幣60億元建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目。 項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資60億元，其中包括約人民幣36億元的股權(quán)融資及約人民幣24 億元的銀行貸款。 項(xiàng)目將建設(shè)第三代半導(dǎo)體外延、晶...  [詳內(nèi)文]

納微X重力星球，全球首款變形金剛聯(lián)名65W氮化鎵充電器來(lái)了
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 27 日 17:40 | 分類 氮化鎵GaN
近日，納微半導(dǎo)體宣布其最新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片獲重力星球最新產(chǎn)品——“狗氮” 65W 變形金剛聯(lián)名款氮化鎵充電器采用。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體 該65W充電器配備雙Type-C接口和單Type-A接口，可同時(shí)為三臺(tái)不同的設(shè)備如筆記本電腦、智能手機(jī)、...  [詳內(nèi)文]

SiC領(lǐng)域?qū)⒃僭鲆患疑鲜衅髽I(yè)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 27 日 17:40 | 分類 碳化硅SiC
6月26日，深交所正式受理了深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司（簡(jiǎn)稱：志橙股份）創(chuàng)業(yè)板上市申請(qǐng)。 本次公開發(fā)行新股數(shù)量不超過(guò)2000萬(wàn)股（不含采用超額配售選擇權(quán)發(fā)行的股票數(shù)量），且發(fā)行數(shù)量占公司發(fā)行后總股本的比例不低于25%。公司預(yù)計(jì)投入募資8億元，募集資金將用于SiC材料研發(fā)制造...  [詳內(nèi)文]