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SiC/GaN前沿趨勢大論劍！這場會議干貨來了
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 15 日 20:50 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復，SiC/GaN等第三代半導體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應用領域的一池春水。 值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳福田JW萬豪酒店成功舉辦“2023集邦咨詢第三代半...  [詳內文]

【會前指南】2023集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會明日舉行！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 14 日 17:10 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月15日，“2023集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會”將在深圳隆重舉行。 屆時，華燦光電、英諾賽科、納設智能、國星光電、天科合達、芯聚能、Wolfspeed、爍科晶體、AIXTRON、泰科天潤、珠海鎵未來、三菱電機、天域半導體等行業(yè)龍頭，以及北京大學教授、集邦咨詢資深分析師等...  [詳內文]

奧海科技：800V碳化硅平臺的高壓MCU項目穩(wěn)步推進
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 14 日 16:59 | 分類 碳化硅SiC
近日，奧海科技在接受機構調研時表示，2022年全年公司手機業(yè)務ASP增速超過20%，隨著65W以上機型市占率不斷滲透，未來手機快充有望像“4800萬像素攝像頭”、“指紋識別”等功能一樣得到大范圍普及。 奧?？萍挤Q，2023年一季度公司60W以上快充滲透率提升至19%以上。 此外，...  [詳內文]

這個SiC設備廠8英寸長晶設備已開始批量生產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 14 日 16:57 | 分類 碳化硅SiC
近日，有投資者在互動平臺提問晶升股份關于三安與意法半導體擬合作開展8英寸碳化硅襯底業(yè)務對公司的影響。晶升股份表示，公司已開始8英寸碳化硅長晶設備的批量生產(chǎn)。截止目前，公司尚未與三安光電簽訂針對這個項目的正式訂單。 受益于半導體行業(yè)高速發(fā)展，對應半導體長晶設備需求快速釋放。晶升股份...  [詳內文]

硅光的下一代技術路線圖
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 13 日 17:28 | 分類 碳化硅SiC
摘要 在光通信發(fā)展的推動下，硅光子技術已發(fā)展成為主流技術。目前的技術已經(jīng)使得集成光子器件從數(shù)千個激增到數(shù)百萬個，它們主要以數(shù)據(jù)中心通信收發(fā)器的形式出現(xiàn)，此外傳感和運算等許多令人興奮的應用領域的產(chǎn)品也指日可待。需要什么才能將硅光子器件的出貨量從數(shù)百萬增加到數(shù)十億？下一代硅光子技術會...  [詳內文]

30億投資，安世半導體封測廠擴建項目摘牌
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 13 日 17:22 | 分類 碳化硅SiC
昨日，安世半導體（中國）有限公司封測廠擴建項目成功摘牌。 據(jù)悉，項目總投資30億元，從事產(chǎn)業(yè)內容包括但不限于分立器件、模擬&邏輯ICs、功率MOSFETs。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 2022年10日，安世半導體與東莞市黃江鎮(zhèn)人民政府簽署了《安世半導體（中國）有限公司封...  [詳內文]

向8英寸進擊，拿下SiC的天王山
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 13 日 17:20 | 分類 碳化硅SiC
6月7日，平地一聲驚雷，一則合資建廠的消息震動整個SiC市場，三安光電和意法半導體兩位主角宣布，將斥資50億美元在重慶建立一座8英寸SiC器件廠，在此基礎上，三安光電再配套建一座襯底廠。根據(jù)意法半導體的估算，到2030年該廠將幫助意法半導體實現(xiàn)50億美元的SiC營收，作為對比，2...  [詳內文]

【會議預告】集邦咨詢：2023全球第三代半導體市場機遇與挑戰(zhàn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 17:29 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導體碳化硅和氮化鎵被視為后摩爾時代材料創(chuàng)新的關鍵角色。近年來，汽車、光伏儲能等應用帶動碳化硅市場迅速擴大，氮化鎵功率元件于消費電子市場率先放量，工業(yè)、汽車應用潛力巨大。 目前，全球能源技術革命已經(jīng)開啟，并向材料領域滲透，第三代半導體將在實現(xiàn)碳達峰、碳中和的過程中發(fā)揮怎樣的...  [詳內文]

又一實驗室揭牌，瞄準化合物半導體EDA領域
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 17:28 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，九峰山-華大九天聯(lián)合實驗室“神舟實驗室”正式揭牌。該實驗室由九峰山實驗室和北京華大九天科技股份有限公司共同組建，由北京華大九天科技股份有限公司研發(fā)副總朱能勇、九峰山實驗室無線互聯(lián)首席專家吳暢共同擔任主任。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 “神舟實驗室”將針對化合物半導體EDA軟...  [詳內文]