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37.1萬片，天科合達(dá)擴(kuò)產(chǎn)6/8英寸碳化硅襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 8:41 | 分類 企業(yè)
8月13日，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡稱“二期項(xiàng)目”）環(huán)評審批。 文件指出，隨著北京天科合達(dá)創(chuàng)新能力、市場占有率的不斷提升，行業(yè)內(nèi)影響力不斷增強(qiáng)，計(jì)劃擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，擬在現(xiàn)有廠區(qū)西側(cè)地塊建設(shè)二期項(xiàng)目。 二期項(xiàng)目位于北京市大興...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電上半年凈利同比增122.76%，主營產(chǎn)品含碳化硅器件
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 16 日 18:00 | 分類 企業(yè)
8月15日晚間，捷捷微電發(fā)布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，捷捷微電實(shí)現(xiàn)營收12.63億元，同比增長40.12%；歸母凈利潤2.14億元，同比增長122.76%；歸母扣非凈利潤1.68億元，同比增長118.00%。 捷捷微電創(chuàng)建于1995年，專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電...  [詳內(nèi)文]

涉及碳化硅功率模塊和外延設(shè)備，2個(gè)項(xiàng)目刷新“進(jìn)度條”
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 16 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，又有兩個(gè)碳化硅相關(guān)項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別為瑞福芯科技車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和納設(shè)智能南通新生產(chǎn)基地項(xiàng)目，兩個(gè)項(xiàng)目總投資超10億元。 車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約 8月13日，據(jù)瑞福芯科技官微消息，瑞福芯科技總經(jīng)理周旭光與協(xié)同創(chuàng)新基金管理有限公司董...  [詳內(nèi)文]

碳化硅設(shè)備相關(guān)廠商銘創(chuàng)智能完成新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 15 日 18:00 | 分類 企業(yè)
天眼查信息顯示，深圳銘創(chuàng)智能裝備有限公司（以下簡稱：銘創(chuàng)智能）近期完成B+輪融資，融資金額未披露，投資方為明德投資。這是繼2023年4月完成B輪融資后，銘創(chuàng)智能完成的新一輪融資。 自2019年12月成立至今，銘創(chuàng)智能已相繼完成4輪融資，分別是2019年12月的天使輪、2021年7...  [詳內(nèi)文]

碳化硅設(shè)備廠商晶升股份上半年?duì)I收凈利雙增
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 15 日 18:00 | 分類 企業(yè)
碳化硅設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域發(fā)展形勢喜人，相關(guān)廠商普遍業(yè)績表現(xiàn)亮眼，其中包括國內(nèi)碳化硅長晶設(shè)備企業(yè)晶升股份。8月14日晚間，晶升股份發(fā)布2024年半年度報(bào)告，其在2024年上半年實(shí)現(xiàn)營收凈利雙增長。 具體來看，晶升股份2024年上半年實(shí)現(xiàn)營收1.99億元，同比增長73.76%；歸母凈利潤0...  [詳內(nèi)文]

印度或?qū)⒎謩e新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 15 日 17:50 | 分類 功率
8月14日，據(jù)外媒報(bào)道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。 LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司...  [詳內(nèi)文]

涉及碳化硅器件，又2家國際廠商達(dá)成合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 16:23 | 分類 企業(yè)
8月13日，據(jù)外媒報(bào)道，位于英國赫特福德郡的合同制造商艾倫·安德森制造公司（Alan Anderson Manufacturing）已與印度大陸器件公司（Continental Device India，簡稱CDIL）簽署了一項(xiàng)協(xié)議，供應(yīng)包括碳化硅組件在內(nèi)的分立半導(dǎo)體器件。 圖...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)4萬片，SweGaN氮化鎵外延廠開始出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 15:58 | 分類 企業(yè)
8月13日，瑞典企業(yè)SweGaN宣布，公司生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。 資料顯示，SweGaN新工廠位于瑞典林雪平，于2023年3月動工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN...  [詳內(nèi)文]

2024 全球GaN Power Device市場分析報(bào)告
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 15:55 | 分類 報(bào)告
語系：中文/英文 丨 格式：PDF 丨 頁數(shù)：約70頁 出刊時(shí)間：2024年8月 一、概況 -全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)格局 -全球GaN Power Device供應(yīng)鏈情形 -全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)并購動態(tài) -全球主要半導(dǎo)體廠商布局 二、GaN ...  [詳內(nèi)文]

TrendForce：2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模有望升至43.76億美元
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 15:55 | 分類 數(shù)據(jù)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場分析報(bào)告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，C...  [詳內(nèi)文]