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120億+15億，國內(nèi)2個8英寸碳化硅項目迎來新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:05 | 分類 功率
近日，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目在海滄正式開工。 該項目總投資120億元，建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，建成后將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。 該項目分兩期建設(shè)，其中，一期項目總投資70億...  [詳內(nèi)文]

SiC半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項目簽約落戶湖南株洲
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
6月24日，湖南省功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對接會暨功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟第八屆發(fā)展戰(zhàn)略高峰論壇在株洲舉行。 會上，4個功率半導(dǎo)體項目現(xiàn)場簽約，分別為特種變壓器智能制造基地項目、SiC半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地、沃坦科通信連接器項目、功率半導(dǎo)體基板批量制造基地項目。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 其...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET正式量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 18:00 | 分類 企業(yè)
作為一家聚焦于SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片廠商，瞻芯電子致力于開發(fā)SiC功率器件、驅(qū)動和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品，并圍繞SiC功率半導(dǎo)體應(yīng)用，為客戶提供一站式芯片解決方案。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，瞻芯電子在國內(nèi)較早自主開發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平...  [詳內(nèi)文]

總投資10億元，鑫誠光電高端激光器芯片制造項目落地佛山
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 17:55 | 分類 企業(yè)
據(jù)“順德發(fā)布”官微消息，6月24日，廣東鑫誠光電半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“鑫誠光電”）與佛山市順德區(qū)政府簽約，標(biāo)志著高端激光器芯片項目正式落地順德陳村。 source：順德發(fā)布 該項目計劃總投資約為10億元，計劃分三期開展，主要建設(shè)高端激光器芯片的批量化生產(chǎn)以及測試基地。首期選...  [詳內(nèi)文]

世界第一座8英寸SiC晶圓工廠開工利用率已達(dá)到20%
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 17:55 | 分類 企業(yè)
6月24日，Wolfspeed披露了公司旗下SiC項目的最新進(jìn)展。 Wolfspeed的莫霍克谷SiC晶圓廠的晶圓開工利用率已達(dá)到20%，Wolfspeed表示，這是公司努力滿足對SiC功率器件日益增長的需求的關(guān)鍵一步。 莫霍克谷SiC晶圓廠(source：Wolfspeed）...  [詳內(nèi)文]

布局GaN，臺達(dá)電子攜手TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 9:03 | 分類 企業(yè)
6月21日，臺達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。 臺達(dá)表示，此舉不僅深化雙方長期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng)新技術(shù)，強(qiáng)化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強(qiáng)臺達(dá)在電動車領(lǐng)域的核心競...  [詳內(nèi)文]

總投資11億，芯谷微微波器件及模組項目封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 9:00 | 分類 射頻
6月21日，合肥芯谷微電子股份有限公司（下文簡稱“芯谷微”）微波器件及模組項目主廠房迎來封頂。 source：芯谷微 據(jù)合肥日報早先報道，該項目于2023年5月18日開工，占地55畝，建筑面積6.6萬平方米，總投資額約11億元。規(guī)劃建設(shè)微波器件廠房、模組廠房、綜合動力站及倒班宿...  [詳內(nèi)文]

“科創(chuàng)板八條”發(fā)布，第三代半導(dǎo)體現(xiàn)2起并購
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 24 日 18:00 | 分類 企業(yè)
除了技術(shù)研發(fā)實力、資金等方面，利好政策扶持也是企業(yè)實現(xiàn)良性發(fā)展不可或缺的重要保障。6月19日，證監(jiān)會發(fā)布《關(guān)于深化科創(chuàng)板改革 服務(wù)科技創(chuàng)新和新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展的八條措施》（以下簡稱《八條措施》），其中第四條措施為更大力度支持并購重組。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 具體來看，第四條措施...  [詳內(nèi)文]

南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地正式投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 24 日 18:00 | 分類 企業(yè)
盡管目前市場上SiC襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及，但國內(nèi)SiC襯底頭部廠商普遍都在積極布局8英寸，其中就包括南砂晶圓。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 早在2022年9月，南砂晶圓就聯(lián)合山東大學(xué)成功實現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（P...  [詳內(nèi)文]

碳化硅材料廠商晶彩科技新項目落戶浙江
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 21 日 17:12 | 分類 企業(yè)
6月21日，紹興晶彩科技有限公司（下文簡稱“晶彩科技”）宣布，公司投資的第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底專用原輔料關(guān)鍵材料產(chǎn)業(yè)化項目于近日簽約紹興柯橋。 source：彩晶科技 據(jù)介紹，該項目自主研發(fā)并攻克原位合成高純碳化硅多晶粉體技術(shù)，產(chǎn)品具有超高純度（6N及以上）、粒徑尺寸及均一性、...  [詳內(nèi)文]